高频辅助磁头及磁记录再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式得到记录特性良好的高频辅助磁头及磁记录再现装置。实施方式涉及的高频辅助磁头具有旋转扭矩振荡元件，该旋转扭矩振荡元件包含直接形成于主磁极上的、含有从W、Mo、Re、Os及Ir选择的元素的非磁性的分离种子层/SIL/IL/FGL。

【技术实现步骤摘要】
相关申请本申请享有以日本专利申请2014-215549号(申请日:2014年10月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及高频辅助磁头及磁记录再现装置。
技术介绍
在高频辅助记录头中，在主磁极或辅助磁极上形成STO，并进行图案形成。STO以与磁性体电连接的方式形成。若对STO进行通电，则例如按主磁极、基底层、SIL的顺序导通电流。此时，有下述问题：SIL对主磁极进行旋转扭矩作用，由此在主磁极产生旋转波，由于有效的主磁极的导磁率劣化从而记录特性变差。因此，期望抑制针对旋转扭矩的、主磁极中的旋转波产生。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供表现良好的磁记录特性的高频辅助磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，提供高频辅助磁头，其具备：主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与该主磁极构成磁路；以及旋转扭矩振荡元件，其设置于该主磁极与该辅助磁极之间；所述旋转扭矩振荡元件包括：直接形成于所述主磁极上的非磁性的分离种子层、形成于该非磁性分离种子层或所述辅助磁极中
的一方上的旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层及形成于该非磁性中间层上的振荡层，所述非磁性的分离种子层含有从包括钨、钼、铼、锇及铱的组中选择的至少一种元素。附图说明图1是表示实施方式涉及的高频辅助磁头的概略结构的图。图2是表示另一实施方式涉及的高频辅助磁头的概略结构的图。图3是表示从另一角度看图1的高频辅助磁记录头的结构的示意图。图4是例示可以搭载实施方式涉及的高频辅助磁头的磁记录再现装置的概略结构的主要部分立体图。图5是表示实施方式涉及的磁头组件的一例的概略图。图6是表示振荡开始电流密度与分离种子层、基底层及SIL的合计厚度的关系的曲线图。图7是表示记录电流频率与SNR的关系的曲线图。具体实施方式实施方式涉及的高频辅助磁头具有：对磁记录介质施加记录磁场的主磁极；设置于主磁极上的旋转扭矩振荡元件；设置于旋转扭矩振荡元件上且与主磁极构成磁路的辅助磁极；在主磁极与旋转扭矩振荡元件之间与主磁极接触而形成的非磁性的分离种子层。旋转扭矩振荡元件(STO)包括设置于分离种子层上或辅助磁极上的旋转注入层(SIL)、形成于旋转注入层上的非磁性中间层(IL)及形成于非磁性中间层上的振荡层(FGL)。分离种子层含有从包括钨(W)、钼(Mo)、铼(Re)、锇(Os)及铱(Ir)的组中选择的至少一种元素。在分离种子层使用的元素，可具有通过与邻接的磁性层的旋转轨道相互作用而使邻接的磁性层的磁阻尼常数增大的旋转泵浦(スピンポンピング)效果。此外，这些元素旋转扩展长度短，若在主磁极与SIL之间或主磁极
与FGL之间与主磁极接触地设置分离种子层，则使主磁极的磁阻尼增大，抑制针对旋转扭矩的、主磁极中的旋转波的产生，结果可得到良好的记录特性。此外，若在主磁极中激励旋转波，则通过与FGL磁合并而成为阻碍稳定的FGL的振荡的原因，但是通过主磁极的磁化稳定，有使旋转扭矩振荡变得容易的效果。分离种子层能够包含材料组1与材料组2的交替层叠，材料组1包括从包括Cu、Ag、Au、Ru、Pd、Cr、Pt、V、Nb的组中选择的至少一种元素，材料组2包括从包括W、Mo、Re、Os、Ir的组中选择的至少一种元素。由此，旋转扩散长度短，可得到使主磁极的磁阻尼增大的效果。分离种子层能够具有大于0.2nm且5nm以下的厚度。若分离种子层的厚度为0.2nm以下，则旋转泵浦的效果小，有得不到记录的能力的提高的趋势。分离种子层的厚度到达5nm之前记录能力一直提高，但是5nm以上的厚度时有改善达到饱和的趋势。以下，关于实施方式，参照附图进行说明。在图1中，表示实施方式涉及的高频辅助磁头的概略结构。图1是从空气轴承面看高频辅助磁头的图。如图所示，该高频辅助磁头20具有主磁极21、STO10和与主磁极构成磁路的辅助磁极22，所述STO10包含直接形成于主磁极21上的分离种子层1、SIL2、IL3及FGL4。在图2中，表示另一实施方式涉及的高频辅助磁头的概略结构。图2与图1同样是从空气轴承面看高频辅助磁头的图。如图所示，该高频辅助磁头30除了代替STO10而具有在分离种子层1与SIL2之间还包含基底层5、在FGL4与辅助磁极22之间还包含覆盖层6的STO10’以外，具有与图1同样的结构。分离种子层的膜厚，为了形成连续的层，需要为0.5nm以上。在基底层，能够使用例如Ta、Ru等金属。基底层的厚度例如能够设为0.5至10nm。进而能够设为约2nm。作为SIL，能够使用从包括Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pd的组中选择的至少一种人工晶格材料或CoPt、FePt等合金。此外，SIL能够在与IL的界面进而设置包括合金材料的层，该合金材料包含FeCo和从包括Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni的组中选择的至少一种添加成分。SIL的厚度例如能够设为2至30nm。作为IL，能够使用从例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pd、Os以及Ir的组中选择的至少一种非磁性金属。IL的厚度例如能够设为0.5至10nm。作为FGL，例如能够使用合金材料及从包括Fe/Co、Fe/Ni及Co/Ni的人工晶格组中选择的至少一种材料等，所述合金材料在FeCo中添加了Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni中的至少一种。作为覆盖层，能够使用从包括Cu、Ru、W以及Ta的组中选择的至少一种非磁性元素。另外，在图1及图2中，STO10在主磁极21上按分离种子层1、SIL2、IL3及FGL4的顺序形成，但是也能够按相反方向即在主磁极21上按分离种子层1、FGL4、IL3、SIL2的顺序形成。图3是表示从另一角度看图1的高频辅助磁记录头的结构的示意图。图3的实施方式涉及的磁头20具备未图示的再现头部、和写入头部50。再现头部具有未图示的磁再现元件及防护层。此外，写入头部50具有作为记录磁极的主磁极21、包含直接形成于主磁极21的分离种子层的STO10、使来自主磁极21的磁场回流的尾部防护层(辅助磁极)22、设置于主磁极21与尾部防护层(辅助磁极)22之间的励磁线圈23。在记录时以及再现时，如图所示，能够使磁头20与磁记录介质40相对地配置。在该高频磁场辅助记录头20的写入头部50中，通过主磁极21与尾部防护层22的间隙磁场，施加膜面垂直的外部磁场，由此以与膜面大致垂直的轴为旋转轴，其振荡层进行旋进运动，由此在外部产生高频磁场。通过将从STO10产生的高频磁场与从主磁极21施加的磁场重叠，可以对与更
高记录密度对应的磁记录介质40进行写入。在该图中，STO10的空气轴承面指与磁记录介质40相对的面。在实施方式中，能够将临界电流密度低的旋转扭矩振荡元件用作为高频磁场的产生源。由此，能够以大的高频磁场使磁记录介质的磁化反转。另一实施方式涉及的磁记录再现装置具备实施方式涉及的高频辅助磁头。图4是例示可以搭载实施方式涉及的高频辅助磁头的磁记录再现装置的概略结构的主要部分立体图。即，磁记录再现装置150是使用了旋转致动器的形式的装置。在该图中，记录用介质盘180安装于轴157，通过对来自未本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频辅助磁头，其特征在于，具备：主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与该主磁极构成磁路；以及旋转扭矩振荡元件，其设置于该主磁极与该辅助磁极之间；所述旋转扭矩振荡元件包括：直接形成于所述主磁极上的非磁性的分离种子层、形成于该分离种子层或所述辅助磁极中的一方上的旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层及形成于该非磁性中间层上的振荡层，所述非磁性的分离种子层含有从包括钨、钼、铼、锇及铱的组中选择的至少一种元素。

【技术特征摘要】
2014.10.22 JP 2014-2155491.一种高频辅助磁头，其特征在于，具备：主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与该主磁极构成磁路；以及旋转扭矩振荡元件，其设置于该主磁极与该辅助磁极之间；所述旋转扭矩振荡元件包括：直接形成于所述主磁极上的非磁性的分离种子层、形成于该分离种子层或所述辅助磁极中的一方上的旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层及形成于该非磁性中间层上的振荡层，所述非磁性的分离种子层含有从包括钨、钼、铼、锇及铱的组中选择的至少一种元素。...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸿井克彦，村上修一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP