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本发明公开了一种制造快闪存储器件的方法。该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底。在有源区中形成隧道绝缘层和第一导电层，并在场区中形成隔离结构。该方法包括沿第一导电层和隔离结构的表面形成介电层，沿介电层的表面形成盖层，和在盖层上形成硬掩模...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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