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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤。形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构（ｕｎｄｅｒ－ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）。在下结构上面和／或上方形成钝化层。选择性刻蚀钝化层和钝化层下...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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