CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。其中，该方法包括以下步骤：在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻所述氧化物层和所述氮化物层来露出所述焊盘；涂布等离子体增强正硅酸乙酯（ＰＥ－ＴＥＯＳ）层作为焊盘保护层，在所述ＰＥ－ＴＥＯＳ层上涂布热固性树脂层；进行滤色镜阵列处理和平面化处理；去除焊盘区域的热固性树脂层；进行微透镜处理；以及通过去除所述焊盘区域中的等离子体增强正硅酸乙酯（ＰＥ－ＴＥＯＳ）层来露出所述焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。
技术介绍
在下文中，将简述现有技术的CMOS图像传感器的制造方法。为了使器件彼此电绝缘，在硅衬底上形成场绝缘层。接下来，形成例如光电二极管的光检测器，然后形成层间介电层和金属互连。其后，连续地涂布诸如氧化物钝化层和氮化物钝化层这样的保护层，以便保护器件或者焊盘(pad)不受潮或者不受物理撞击(例如擦伤)。随后，形成滤色镜阵列以实现彩色图像，并且在滤色镜阵列的上部形成微透镜。滤色镜阵列处理、平坦化处理，和微透镜处理均包括光致抗蚀剂涂布处理。因此，如果不采用保护焊盘的处理，则会发生很多问题。在下文中，将参考图1A到1F描述现有技术的CMOS图像传感器的制造方法的相关问题。图1A到1F为示出形成CMOS传感器的焊盘和焊盘保护层处理、微透镜处理和用于焊盘保护层的脱膜处理的剖视图。如图1A所示，在焊盘100上涂布较厚的氧化物钝化层110以保护焊盘100，执行化学机械抛光(CMP)处理以平坦化氧化物钝化层110，并且在所形成的结构上形成较厚的氮化物钝化层120，由此形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻所述氧化物层和所述氮化物层来露出所述焊盘；涂布等离子体增强正硅酸乙酯即ＰＥ－ＴＥＯＳ层作为焊盘保护层，并在所述ＰＥ－ＴＥＯＳ层上涂布热固性树脂层；进行滤色镜阵列处理和平坦化处理；去除焊盘区域中的热固性树脂层；进行微透镜处理；以及通过去除所述焊盘区域中的ＰＥ－ＴＥＯＳ层来露出所述焊盘。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-29 10-2005-01332991.一种CMOS图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻所述氧化物层和所述氮化物层来露出所述焊盘；涂布等离子体增强正硅酸乙酯即PE-TEOS层作为焊盘保护层，并在所述PE-TEOS层上涂布热固性树脂层；进行滤色镜阵列处理和平坦化处理；去除焊盘区域中的热固性树脂层；进行微透镜处理；以及通过去除所述焊盘区域中的PE-TEOS层来露出所述焊盘。2.如权利要求1所述的方法，其中所述PE-TEOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：金唇翰，
申请(专利权)人：东部电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]