【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。技术背景本专利技术的实施例涉及一种。图像传感器是一种可将光学图像转换为电信号的半导体器件。这种图像 传感器包括用于将入射光引向光电二极管的微透镜阵列。图像传感器制造过程中需要解决的一个要素是提高将入射光转换为电 信号的速率(例如，灵敏度)。并且对在微透镜阵列中各个邻近透镜之间实 现不存在间隙的零间隙进行了大量的研究和探索工作。然而，在CMOS图像传感器的制造方法中，由于用作与外部信号线信号 连接的焊盘的各层和/或焊盘上的各层之间的应力差，可能在焊盘开口部中出 现覆盖层的分层。同样，在晶片背面研磨工艺、封装工艺以及类似工艺中， 会产生从光致抗蚀剂层而来的聚合物微粒以及类似物并且会附着于微透镜 阵列。因此，图像传感器的灵敏度会降低并且由难以清洁微透镜阵列而造成 生产效率下降。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种可提高器件的灵敏度以及生产效率的图像传 感器及其制造方法。本专利技术一个实施例提供了一种图像传感器，该图像传感器包括底层结 构，具有光电二极管及互连件；钝化层，位于该底层结构之上；热固性树脂 层，位于该钝化层之上；滤色镜阵列，位于该热...
【技术保护点】
一种图像传感器，该图像传感器包括：底层结构，具有光电二极管及互连件；钝化层，位于所述底层结构之上；热固性树脂层，位于所述钝化层之上；滤色镜阵列，位于所述热固性树脂层之上；微透镜阵列，位于所述滤色镜阵列 之上；以及低温氧化物层，即ＬＴＯ层，位于所述微透镜阵列之上。
【技术特征摘要】
KR 2006-9-26 10-2006-00935751.一种图像传感器，该图像传感器包括底层结构，具有光电二极管及互连件；钝化层，位于所述底层结构之上；热固性树脂层，位于所述钝化层之上；滤色镜阵列，位于所述热固性树脂层之上；微透镜阵列，位于所述滤色镜阵列之上；以及低温氧化物层，即LTO层，位于所述微透镜阵列之上。2. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述钝化层包括氧化物层。3. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述LTO层的厚度介于3000 A至8000A之间。4. 如权利要求1所述的图像传感器，其中所述LTO层与所述微透镜阵列 的曲率一致并且具有零间隙。5. —种图像传感器的制造方法，所述方法包括下列步骤 形成具有光电二极管及互连件的底层结构； 在所述底层结构上形成钝化层； 在所述钝化层上形成滤色镜阵列； 在所述滤色镜阵列上形成微透镜阵列；在所述微透镜阵列上形成低温氧化物层，即LTO层；以及 通过蚀刻所述LTO层以及所述钝化层暴露所述底层结构上的焊盘部。6. 如权利要求5所述的方法，其中形成所述钝化层的步骤包括 在所述底层结构上形成氧化物层； 在所述氧化物层上形成氮化物层； 在减压环境下对所述氮化物层执行退火；以及 通过去除所述氮化物层暴露所述氧化物层。7. 如权利要求6所述的方法，还包括在所述暴露的氧化物层上形成热固 性树脂层。8. 如权利要求6所述的方法，其中利用回蚀方法来去除所述氮化物层。9. 如权利要求5所述的方法，其中所述LTO层的厚度介于3000 A至 8000 A之间。10. 如权利要求5所述的方法，其中所述LTO层是共形地沉积在所述微 透镜阵列上以使所述LTO层具有零间隙。11. 如...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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