基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置，防止由在基板表面形成的复杂构造（沟道和空穴）引起的干燥不良。在处理槽（３１）中用纯水对基板（９）进行的清洗处理结束后，通过从酒精供给部（３７）向处理槽（３１）供给酒精，用酒精置换处理槽（３１）内的处理液（９１）。在容器（４０）内的处理槽（４１）中对基板（９）进行利用氟系溶剂液体的清洗，然后，从处理槽（４１）中提升基板（９），在容器（４０）内用氟系溶剂的气体进行干燥处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及除去在半导体晶片等基板表面残留的纯水的技术，更详细地 说，涉及防止在基板表面形成的沟道和空穴那样的结构处发生干燥不良的技 术。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，在涂敷处理和腐蚀处理等中使用各式各样 的处理液。因此，在半导体器件的制造工序中，在各工序之间必须适当地清洗基板。例如，专利文献l(JP特开2002-252201号公报)记载着清洗基板的 基板处理装置。另一方面，在半导体器件的制造工序中，在基板表面上形成有沟道和空 穴那样复杂的构造，因而会有基板表面不平坦的情况。由于那样复杂的构造是从基板表面突出或洼下的构造，所以会容易在基 板表面残留使用于清洗的纯水，从而会产生干燥不良的问题。即，专利文献 1记载的技术有纯水除去不充分的顾虑。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述课题而研制的，其目的是防止基板表面的干燥不良。 为了解决所述课题，本专利技术提供一种处理基板的基板处理装置，其特征 在于，包含处理槽，其贮存氟系溶剂的液体；容器，其收容所述处理槽； 保持机构，其在所述容器内处于保持着基板的状态下，使基板在设置于所述 处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，包括：　　　　处理槽，其贮存氟系溶剂的液体；　　　　容器，其收容所述处理槽；　　　　保持机构，其在所述容器内处于保持着基板的状态下，使基板在设置于所述处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移动；　　　　气体供给装置，其使保持着在所述第一位置通过氟系溶剂的液体而被处理过的基板的所述保持机构从所述第一位置向所述第二位置移动，并向所述保持机构上所保持的基板供给氟系溶剂的气体。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-26 2006-260195;JP 2007-7-31 2007-1990271.一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，包括处理槽，其贮存氟系溶剂的液体；容器，其收容所述处理槽；保持机构，其在所述容器内处于保持着基板的状态下，使基板在设置于所述处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移动；气体供给装置，其使保持着在所述第一位置通过氟系溶剂的液体而被处理过的基板的所述保持机构从所述第一位置向所述第二位置移动，并向所述保持机构上所保持的基板供给氟系溶剂的气体。2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括 开闭机构，其在所述容器内，使收容所述处理槽的第一空间相对第二空间开闭，其中该第二空间收容移动到所述第二位置的所述保持机构；开闭控制装置，其在保持着基板的所述保持机构移动到所述第一位置时 以及保持着基板的所述保持机构移动到所述第二位置时，控制所述开闭机构 将所述第一空间和所述第二空间隔断，在保持着基板的所述保持机构在所述 第一位置和所述第二位置之间移动时控制所述开闭机构将所述第一空间和 所述第二空间连通。3. 如权利要求1所述的基板处...

【专利技术属性】
技术研发人员：基村雅洋，
申请(专利权)人：大日本网目版制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]