图像传感器及其制造方法技术

一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：下部结构，具有至少一个光电二极管和互连件；该下部结构上的钝化层；该钝化层上的滤色镜阵列；以及微透镜阵列，包括位于该滤色镜阵列上的氧化物层。本发明专利技术能够防止因绝缘层与焊盘或覆盖层之间的应力差而导致绝缘层从焊盘剥离的现象，并可防止聚合物颗粒粘附到微透镜阵列。因此，不仅能减小或防止图像传感器的灵敏度减小而且能增加产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，特别涉及一种。技术背景图像传感器是指将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器包 括用于将入射光收集和聚焦到光电二极管上的微透镜阵列。在制造图像传感器时，所要解决的问题之一是增加将入射光信号转换成 电信号的比率(例如提高图像传感器的灵敏度)。而且，在形成用于收集光的微透镜阵列的过程中，进行了各种努力以发 现实现零间隙的方法(例如，在微透镜阵列中的相邻透镜之间不提供间隙)。同时，由于各层间的应力差而存在覆盖层从焊盘区域(焊盘区域必须敞 开以便用外部引线或迹线进行信号连接)分离的现象。而且，存在另一现象，即例如在晶片背面磨削(back-grinding)工艺和 封装(packing)工艺之类的工艺中，例如因暴露的光敏层导致多个聚合物颗 粒可以粘附到微透镜阵列。由于清洁困难等原因，这种现象不仅造成图像传 感器的灵敏度减小，还造成产量下降。
技术实现思路
本专利技术的多个实施例提供，能够提高其灵敏度 和产量。本专利技术的一个实施例提供了一种图像传感器。该图像传感器包括下部结构，具有至少一个光电二极管和互连件；钝化层，位于该下部结构上；滤 色镜阵列，位于该钝化层上；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：下部结构，具有至少一个光电二极管和互连件；钝化层，位于所述下部结构上；滤色镜阵列，位于所述钝化层上；以及微透镜阵列，包括所述滤色镜阵列上的第一氧化物层。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-26 10-2006-00935761.一种图像传感器，包括下部结构，具有至少一个光电二极管和互连件；钝化层，位于所述下部结构上；滤色镜阵列，位于所述钝化层上；以及微透镜阵列，包括所述滤色镜阵列上的第一氧化物层。2. 根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述钝化层包括第二氧化 物层。3. 根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括热固性树脂层， 位于所述钝化层与所述滤色镜阵列之间。4. 根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述微透镜阵列包括低温 氧化物层。5. 根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述微透镜阵列实质上由 低温氧化物层构成。6. 根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述微透镜阵列在相邻的 微透镜之间具有零空隙。7. —种图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤在具有至少一个光电二极管和互连件的下部结构上形成钝化层； 在所述钝化层上形成滤色镜阵列； 在所述滤色镜阵列上形成低温氧化物层； 在所述低温氧化物层上形成图案化光敏层； 湿法蚀刻所述低温氧化物层，以形成微透镜阵列。8. 根据权利要求7所述的方法，其中形成所述钝化层的步骤包括 在所述下部结构上形成氧化物层； 在所述氧化物层上形成氮化物层；在包含还原剂的气氛中对所述氮化物层进行退火；以及 除去所述氮化物层以暴露所述氧化物层。9. 根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]