【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种感测元件及其制造方法,尤其涉及一种。
技术介绍
光电二极管图像传感器是目前常见的一种图像感测元件。典型的光电二极管图像传感器,至少包括一个晶体管以及一个光电二极管。以n型掺杂区、p型基底(n+/p)所形成的光电二极管作为感光区域为例,光电二极管图像传感器在操作时,在晶体管的栅极施加一电压,使晶体管开启后,对n+/p光电二极管结电容充电。当充电到一高电位之后,关掉晶体管,使n+/p光电二极管产生逆偏而形成耗尽区。当光照射在此n+/p光电二极管感光区时,产生的电子空穴对会被耗尽区的电场分开,使电子往n型掺杂区移动,而使n型掺杂区的电位降低,至于空穴则会往p型基体流走。若n型掺杂区接到一个传送晶体管(transfer transistor)所形成的源极跟随器(source follower),则可以利用源极跟随器所提供的大电流,快速地对输出端充放电,使输出端的电压稳定,噪声较小,此种光传感器则为有源式光电二极管传感器(active pixelphotodiode)。近年来在许多低价位图像传感器的应用上,有源式光电二极管互补式金属氧化物半导体图像传感 ...
【技术保护点】
一种图像感测元件,包括:基底,具有光感测区与晶体管区;光电二极管,配置于该光感测区的该基底中;晶体管,配置于该晶体管区的该基底上,且该晶体管与该光电二极管电连接;介电层,配置于该基底上,覆盖该晶体管与该光电二 极管;金属内连线,位于该光感测区以外的该介电层中;金属导线,配置于该光感测区以外的该介电层上;共形保护层,配置于该介电层上并覆盖该金属导线;滤色层,配置于该光感测区中的该共形保护层上,且该滤色层的底部低于该金 属导线的顶部;透镜平坦层,配置于该滤 ...
【技术特征摘要】
1.一种图像感测元件,包括基底,具有光感测区与晶体管区;光电二极管,配置于该光感测区的该基底中;晶体管,配置于该晶体管区的该基底上,且该晶体管与该光电二极管电连接;介电层,配置于该基底上,覆盖该晶体管与该光电二极管;金属内连线,位于该光感测区以外的该介电层中;金属导线,配置于该光感测区以外的该介电层上;共形保护层,配置于该介电层上并覆盖该金属导线;滤色层,配置于该光感测区中的该共形保护层上,且该滤色层的底部低于该金属导线的顶部;透镜平坦层,配置于该滤色层与该共形保护层上;以及微透镜,配置于该光感测区中的该透镜平坦层上。2.如权利要求1所述的图像感测元件,其中该共形保护层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及其组成的叠层其中之一。3.如权利要求1所述的图像感测元件,其中部分该滤色层与部分该金属导线重叠。4.如权利要求1所述的图像感测元件,其中该金属导线的底部高于该滤色层的底部。5.如权利要求1所述的图像感测元件,还包括抗反射层,位于该基底与该介电层之间。6.如权利要求5所述的图像感测元件,其中该抗反射层的材料包括氮化硅材料。7.如权利要求1所述的图像感测元件,其中该晶体管包括栅介电层,位于该基底上;栅导体层,位于该栅介电层上;以及源极与漏极区,位于该栅导体层两侧的该基底中。8.如权利要求1所述的图像感测元件,其中该介电层包括由以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的磷硅玻璃层、未掺杂硅玻璃层、以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的材料层、以高密度等离子体法形成的材料层组成的一种组合叠层。9.如权利要求1所述的图像感测元件,其中该金属导线的材料包括铝、铜或钨。10.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:王铭义,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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