【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。利用物体发出的红外线来测量物体温度的温度检测器的应用十分广泛，除了温度测量之外，还可应用于人体感测，如工业自动化及保全监视方面的动作感测器、红外线照像机、摄影机、以及医疗方面的人体温度分布的影像计量等各方面。其原理多为利用红外线照射在元件上造成的温度上升来改变材料物理特性，并转变成电气特性输出。常见的感测元件有焦电型感测元件、热阻型感测元件、及热电堆感测元件等。由于焦电型感测元件使用的是陶瓷或高分子等非半导体制造的材料，所以不适合利用高度自动化的半导体工业的大量生产方式，故相对生产成本较高。而在热敏电阻型感测元件中，必须供给偏压以测量电阻变化，从而使元件产生交流噪声。因此，对于不需外加偏压、仅具有低电平的直流噪声的热电堆感测元件，因其不大受室温影响，补偿较为容易，并且可利用半导体制造技术来大量生产，因而愈来愈具有市场潜力与成本竞争力。而从制造方法而言，如果感测器的制造过程能与现有的半导体制造过程相容，其开发及制造的成本也就越低，且若能将元件与放大电路等CMOS电路一并制作，则不但可增加元件功能，并能降低信号接口的噪声，故开发与CMOS制造...
【技术保护点】
一种热电堆感测元件制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一硅基板；沉积一第一绝缘层于该硅基板表面；沉积一材料层于该第一绝缘层表面；罩幕定义并蚀刻去除该材料层的一部分以形成一第一导线；沉积一第二绝缘层于该第一导线与该 第一绝缘层的表面；去除该第二绝缘层的一部分，以形成多个接触窗；沉积一第一金属层于该第二绝缘层的表面；罩幕定义并蚀刻去除该第一金属层的一部分以形成一第二导线，并透过该接触窗使该第二导线与该第一导线接触于多个热端及冷端；沉积一第 三绝缘层于该第二导线与该第二绝缘层的表面；蚀刻该第三绝缘层与该第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种热电堆感测元件制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤提供一硅基板；沉积一第一绝缘层于该硅基板表面；沉积一材料层于该第一绝缘层表面；罩幕定义并蚀刻去除该材料层的一部分以形成一第一导线；沉积一第二绝缘层于该第一导线与该第一绝缘层的表面；去除该第二绝缘层的一部分，以形成多个接触窗；沉积一第一金属层于该第二绝缘层的表面；罩幕定义并蚀刻去除该第一金属层的一部分以形成一第二导线，并透过该接触窗使该第二导线与该第一导线接触于多个热端及冷端；沉积一第三绝缘层于该第二导线与该第二绝缘层的表面；蚀刻该第三绝缘层与该第二绝缘层的一部分，以使最后一条该第二导线的一部分裸露于外，用以连接至待形成的一第二金属垫，而第一条该第一导线也经由该第二导线连接至待形成的一第一金属垫；沉积一第二金属层于该第三绝缘层之上；蚀刻该第二金属层的一部分以形成该第一及第二金属垫；沉积一第四绝缘层于该第三绝缘层与该第二金属层之上；沉积一第三金属层于该第四绝缘层之上，并以蚀刻或去除的方法定义出黑体吸收层，用以吸收入射的红外线；沉积一第五绝缘层于该第四绝缘层与该黑体吸收层的表面；蚀刻该第四、第五绝缘层的一部分，形成一打线窗，以露出该第一、第二金属垫；形成一蚀刻孔贯穿该第五、第四、第三、第二与第一绝缘层，而使该硅基板的表面裸露于外；以及以正面蚀刻技术经由该蚀刻孔对该硅基板进行蚀刻，以掏空该硅基板。2.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该材料层的材料可为金属或多晶硅等材料。3.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该黑体吸收层可由钛、氮化钛、钛合金或其它金属或合金所组成。4.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该第一导线与该第二导线的材料可由半导体材料所组成。5.如权利要求1所述的热电堆感测元件制造方法，其特征在于，所述冷端的第一导线与第二导线可通过该第三金属层而连接。6.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，该第二导线的材料可由钛、铝、氮化钛、钛合金或铝合金之一或混合物所组成。7.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，可利用绕线方式使该第二导线呈曲折结构，以增加导线长度，并降低固体热传导。8.如权利要求1所述的热电堆感测元件及其制造方法，其特征在于，该第一、第二金属垫可由该第一金属层制成。9.如权利要求1所述的热电堆感测元件的制造方法，其特征在于，在形成该蚀刻孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜政勋，周正三，李正国，
申请(专利权)人：全磊微机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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