制造半导体器件的方法技术

一种用于制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上依次形成第一绝缘膜和虚设栅极；通过用虚设栅极作为掩模来形成轻掺杂结区，在所述虚设栅极的侧壁上形成第一间隔件，并随后形成重掺杂结区。所述方法还包括在形成有所述重掺杂结区的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜，并去除虚设栅极以形成暴露出一部分第一绝缘膜的空腔；在空腔的侧壁上形成第二间隔件；在第二间隔件上依次形成栅极绝缘膜和栅极导体，并随后去除第二绝缘膜及一部分栅极绝缘膜；并在栅极导体的顶部上和轻掺杂结区中形成自对准硅化物膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件日益高度集成化，需要短沟道晶体管加工技术。然而，因为源极/漏极扩散层的横向扩散，会产生短沟道效应，减少有效沟道长度。通常，短沟道效应会减少轻掺杂结区中的离子注入量，从而使其作用最小化。然而，轻掺杂结区中离子注入量的减小会带来因为热载流子效应变得更显著且轻掺杂结区的电阻增加而导致的劣化等问题。此外，由于栅极长度缩短，发生窄线效应(narrow line effect)。这种窄线效应干扰了自对准硅化物的形成。自对准硅化物的形成受到窄线效应的干扰，会引起栅极电阻增加。这导致半导体器件的晶体管工作信号失真，从而降低半导体器件的可靠性。将这种干扰效应减至最小的方式是改变用以沉积自对准硅化物膜的金属层的种类。但是，为改变金属层的种类应当使用新设备。这样就让半导体器件的生产率由于引入高成本生产设施而降低。
技术实现思路
根据本专利技术，提供了一种制造具有短沟道晶体管的半导体器件的方法，该制造方法在保持栅极的面积与传统方法相同的同时，抑制了短沟道效应，其中，在栅极上面形成自对准硅化物。根据本专利技术的实施例，利用双间隔件来形成自对准硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成第一绝缘膜和虚设栅极；利用所述虚设栅极作为掩模来形成轻掺杂结区；在所述虚设栅极的侧壁上形成第一间隔件；形成重掺杂结区；在形成有所述重掺杂结 区的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜，并去除所述虚设栅极，以形成暴露出至少一部分所述第一绝缘膜的空腔；在所述空腔的侧壁上形成第二间隔件；在所述第二间隔件上依次形成栅极绝缘膜和栅极导体，并随后去除所述第二绝缘膜和至少一部分所述栅 极绝缘膜；以及在所述栅极导体的顶部和所述轻掺杂结区中形成自对准硅...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴正浩，
申请(专利权)人：东部电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]