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一种用于制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上依次形成第一绝缘膜和虚设栅极；通过用虚设栅极作为掩模来形成轻掺杂结区，在所述虚设栅极的侧壁上形成第一间隔件，并随后形成重掺杂结区。所述方法还包括在形成有所述重掺杂结区的所述半导体衬底上形成第二...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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