【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作高压器件沟道的方法,尤其涉及一种制作高压器件沟 道的非外延方法。
技术介绍
目前,40V以上的高压器件的沟道生产工艺, 一般都采用以下工艺先在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入锑作为N型埋层,然后再在上 面外延生长N型衬底。这种生产工艺流程复杂,成本昂贵。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种生产工艺简单,生产成本低廉的制作 高压器件沟道的非外延方法。为解决上述技术问题,本专利技术提供,其包含如下步骤用高能离子注入磷来做为N型埋层;用低能离子注入磷来做 为N型沟道衬底;用高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。本专利技术由于采用了上述新工艺,简化了生产流程,从而起到了降低生产成 本的效果。具体实施例方式下面对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术在40V以上的高压器件沟道的生产工艺中,相比较与现有工艺中 的用锑注入作为N型埋层,本专利技术采用了高能离子注入磷来做为N型埋层。 在N型埋层形成之后,相比较与现有工艺中的外延生长N型衬底,本专利技术釆 用中低能离子注入磷外加高温长时间退火来作为准均匀掺杂的N型沟道。实施例1a. 先在硅片表面生产一层牺牲氧化层;b. 在PM0S等一些需要N型埋层的区域注入1500kev左右的磷来做为N型 埋层;c. 在PMOS等一些需要均匀掺杂N型衬底的区域用注入150kev左右的磷, 然后再进行120(TC左右约8小时的高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。实施例2a. 先在硅片表面生产一层牺牲氧化层;b. 在PMOS等一些需要N型埋层的区域注入1000kev左右的磯来做为N型 埋层;c. ...
【技术保护点】
一种制作高压器件沟道的非外延方法,其特征在于,包含如下步骤:a.用高能离子注入磷来做为N型埋层;b.用低能离子注入磷来做为N型沟道衬底;c.高温长时间退火来实现准均匀掺杂N型沟道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周贯宇,钱文生,陈华伦,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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