【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。技术背景半导体制造技术中的光刻工艺过程即通过在晶片表面旋涂光刻胶，曝光显影将掩膜板上预先制作好的图形转移到晶片上的过程。然后带有光刻胶图 形的晶片被送入刻蚀或离子注入设备对晶片上未被光刻胶覆盖的区域进行离 子注入或掺杂，以形成所需要的掺杂浓度或结构。从而光刻胶定义的图形的 精准度会直接影响离子注入和刻蚀后的质量，特别是随着半导体制造技术的 发展线宽越来越小，光刻胶图形线宽的误差及光刻图形缺陷对的芯片制造过 程中电性的影响也越来越明显。如何在光刻过程中减少光刻图形缺陷是工艺 人员不得不考虑问题。在光刻中，光刻胶首先通过旋涂的方法被均匀的涂附于晶片的表面，然 后通过曝光显影将掩膜板上图形转移到晶片上，并且在此过程中，需要经历一系列的烘烤例如软烤、曝光后烘烤(Post exposure bake)等过程来增加光刻 胶与晶片基底的粘附性，以此来增加抗刻蚀能力。光刻过程中常常由于各种 各样的问题例而产生光刻胶残留，光刻胶残留生成在本欲去除光刻胶而生成 开口的地方或形成的图形的旁边。由于该残留的阻挡影响刻蚀过程及离子注 入...
【技术保护点】
一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光； 将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李建茹，宋铭峰，郑莲晃，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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