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一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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