【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及校正由于气压变化产生的投影光学系统的象差，可以实现高精度曝光处理的技术，特别是，涉及适合于半导体曝光装置和器件制造装置的技术。
技术介绍
在半导体曝光装置中，当气压变化时发生作为光学特性误差的象差。关于由于日常的缓慢的气压变化产生的象差的校正方法，例如是在日本平成8年公布的8-305034号专利公报中公开的方法。在日本平成8年公布的8-305034号专利公报中，主要用单一的玻璃材料构成投影光学系统，对每块晶片测定气压，通过与气压变化相应地改变曝光光源的波长校正象差，并且为了校正在过程间的放大倍数差在光轴方向驱动投影透镜对投影放大倍数进行校正。近年来的IC和LSI等的半导体集成电路，其图案越来越微细化，与此相伴要求曝光成像特性高精度化。因此，即便是微小的气压变化也难以允许。关于在设置曝光装置的环境中，由于人的主要原因等产生的微小但是急剧的气压变化产生象差的校正方法，例如是在日本2001年公布的2001-085292号专利公报中公开的方法。在日本2001年公布的2001-085292号专利公报中，表示了因为存在着由于净化间中的房门开闭产生0.5hPa...
【技术保护点】
一种曝光装置，其特征在于：它备有测量投影光学系统的附近或内部的气压的气压测量部件、包含通过驱动上述投影光学系统的透镜从而调整象差在内，根据上述气压测量部件所测量的气压而反复校正象差的第１校正部件、和包含通过变更曝光光 源的波长从而调整象差在内，根据上述气压测量部件所测量的气压，以比由上述第１校正部件反复校正象差的时间间隔长的时间间隔校正象差的第２校正部件。
【技术特征摘要】
JP 2003-3-14 070594/20031.一种曝光装置，其特征在于它备有测量投影光学系统的附近或内部的气压的气压测量部件、包含通过驱动上述投影光学系统的透镜从而调整象差在内，根据上述气压测量部件所测量的气压而反复校正象差的第1校正部件、和包含通过变更曝光光源的波长从而调整象差在内，根据上述气压测量部件所测量的气压，以比由上述第1校正部件反复校正象差的时间间隔长的时间间隔校正象差的第2校正部件。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于在上述第2校正部件中校正比上述第1校正部件多的象差。3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于至少在拍摄曝光中实施上述第1校正部件，在非拍摄曝光时实施上述第2校正部件。4.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于在从开始对晶片的曝光处理到结束对全部拍摄的曝光之间实施上述第1校正部件，结束上述曝光后在该晶片交换中实施上述第2校正部件。5.根据权利要求1到4中任何一项所述的曝光装置，其特征在于上述第2校正部件通过变更上述波长或变更上述波长和驱动上述透镜而执行象差校正。6.根据权利要求1到4中任何一项所述的曝光装置，其特征在于它进一步备有通过在光轴方向上驱动晶片台从而调整象差的晶片台驱动部件，上述第1校正部件和上述第2校正部件进一步用上述晶片台驱动部件执行象差校正。7.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于上述气压测量部件具有检测气压绝对值的第1气压计、比上述第1气压计更高速地检测气压绝对值或相对值的第2气压计、和用上述第1气压计的输出而校正上述第2气压计的输出，将校正结果作为上...
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