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本发明公开了一种制作高压器件沟道的非外延方法，其包含如下步骤：用高能离子注入磷来做为Ｎ型埋层；用低能离子注入磷来做为Ｎ型沟道衬底；用高温长时间退火来实现准均匀掺杂Ｎ型沟道。本发明由于采用了上述方法，简化了高压器件的沟道的制作流程，从而起到了...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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