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本发明公开一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻该氧化物层和氮化物层露出并清洗该焊盘；涂布焊盘保护层；执行氢退火工艺；执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺；以及去...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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