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本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的制造方法，其中一微ｐ阱稳定地形成在一像素区域中，以适应大规模集成的趋势。该方法包括如下步骤：准备具有周围区域和像素区域的基片；通过使用具有第一厚度的第一光致抗蚀剂来实施第一离子植入...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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