双栅结栅场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供了一种结栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该结栅场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及控制栅，控制栅为掺杂的单晶硅，控制栅与体固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。不同于传统的场效应晶体管的结构，即金属－绝缘层－半导体的结构，本发明专利技术去除了常规器件中的栅氧，实现了半导体－半导体结构，由于没有了栅氧的隔离，本发明专利技术器件的散热效能好，非常适合大规模高密度集成。特别对于双栅结栅场效应晶体管，由于体为正方形设计，故其器件结构为全对称结构，是基于完全相同的ｎ型场效应晶体管和ｐ型场效应晶体管。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子半导体
，具体涉及一种结栅场效应晶体管。
技术介绍
随着微电子技术的不断发展，电路集成的密度越来越大，器件的尺寸越来越小，集成的难度也越来越大。特别是经过近几十年的快速发展，微电子器件的尺寸已经进入到纳米量级。很多小尺寸下才会出现的效应严重威胁着器件的发展，进而影响整个微电子技术的进展。例如随着器件尺寸的不断缩小，制备高质量的薄层栅氧就是现在工艺无法逾越的困难。虽然出现了很多替代技术，比如高-K介质(Oates et al.，IEDM Tech.Dig.，pp.3.8.2.1-3.8.2.4，2003)，可以解决部分问题，但是高-K介质和整个工艺又不能有效的兼容，致使其离在工业界的广泛应用还有很大的距离。而且随着器件尺寸的缩小，器件的热电子效应也变得越来越严重，这不仅对栅氧有很大的损害，而且还不利于大规模集成。近几十年来，科研工作者不断提出新的器件结构，比如双栅器件，甚至是多栅器件(X.Huang，W.-C.Lee，C.Kuo，D.Hisamoto，L.Chang，J.Kedzierski，E.Anderson，H.Takeuchi，Y.-K. Choi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结栅场效应晶体管，包括：源区、漏区、体以及控制栅，其特征在于：控制栅为掺杂单晶硅，控制栅与体固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。

【技术特征摘要】
1.一种结栅场效应晶体管，包括源区、漏区、体以及控制栅，其特征在于控制栅为掺杂单晶硅，控制栅与体固定连接，形成P-N结。2.如权利要求1所述的结栅场效应晶体管，其特征在于所述控制栅为两个，体为正方形。3.如权利要求1或2所述的结栅场效应晶体管，其特征在于控制栅掺杂浓度高于1×102...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，黄如，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]