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本发明提供了一种结栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该结栅场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及控制栅，控制栅为掺杂的单晶硅，控制栅与体固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。不同于传统的场效应晶体管的结构，即金属－绝缘层－半导体的结构，本发明去除了...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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