控制结型场效应晶体管的器件制造技术

本发明专利技术涉及一种使得能够使用习惯用于控制ＭＯＳＦＥＴ／ＩＧＢＴ的栅极控制电路控制ＪＦＥＴ晶体管的器件。该器件包括：由串联的电容器（Ｃ１）和栅极电阻器（Ｒｇ）组成的第一单元，所述第一单元连接在控制电路（１０）的第一输出端（１００）与ＪＦＥＴ晶体管的栅极（Ｇ）之间；由串联的二极管（Ｄ１）和放电电阻器（Ｒ１）组成的第二单元，所述第二单元连接在第一单元的电容器（Ｃ１）与栅极电阻器（Ｒｇ）之间，还连接到栅极控制电路（１０）的第二输出端（１０１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及控制JFET(结型场效应晶体管)晶体管的器件。
技术介绍
JFET晶体管是包含其功能是允许或禁止电流在漏极⑶与源极⑶之间流动的控制栅极(G)的已知电源开关。如果栅极与源极之间的电压Ves接近零，则这样的晶体管是耗尽型(常开)晶体管。这意味着在控制电压Ves不存在的情况下，漏极-源极沟道导通或者是导通的。相反，如果在不存在栅极与源极之间的电压Ves的情况下漏极-源极沟道不导通，则JFET晶体管是增强型(常闭)晶体管。耗尽型JFET晶体管要求将负电压Ves施加在栅极与源极之间，以便将晶体管截止。 这种电压通常位于-5V到-15V之间。增强型JFET晶体管要求将正电压Ves施加在栅极与源极之间，以便将晶体管导通。 这种正电压通常位于+IV到+3V之间。由于JFET晶体管相对较新，还没有设计出专门控制它们的器件。因此，美国专利 6，661，276已经建议生产一种用于控制增强型JFET晶体管的器件，该增强型JFET晶体管包含习惯用于控制MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)晶体管的栅极控制电路10。 这种控制器件显示在附图IA中。如文献US 6，661，276所述，传本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种控制ＪＦＥＴ晶体管的器件，其特征在于，它包含：－包含第一输出端（１００）和与ＪＦＥＴ晶体管的源极（Ｓ）连接的第二输出端（１０１）的栅极控制电路（１０）；－由串联的电容器（Ｃ１）和栅极电阻器（Ｒｇ）组成的第一组件，所述第一组件连接在控制电路（１０）的第一输出端（１００）与ＪＦＥＴ晶体管的栅极（Ｇ）之间；以及－由串联的二极管（Ｄ１）和放电电阻器（Ｒ１）组成的第二组件，该第二组件一端连接在第一组件的电容器（Ｃ１）与栅极电阻器（Ｒｇ）之间，而另一端与栅极控制电路（１０）的第二输出端（１０１）连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S卡考伊特，
申请(专利权)人：施耐德电器工业公司，
类型：发明
国别省市：FR