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本发明涉及一种使得能够使用习惯用于控制ＭＯＳＦＥＴ／ＩＧＢＴ的栅极控制电路控制ＪＦＥＴ晶体管的器件。该器件包括：由串联的电容器（Ｃ１）和栅极电阻器（Ｒｇ）组成的第一单元，所述第一单元连接在控制电路（１０）的第一输出端（１００）与ＪＦＥＴ晶体...
该专利属于施耐德电器工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过施耐德电器工业公司授权不得商用。

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