准双栅场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供了一种准双栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该准双栅场效应晶体管包括：源、漏区、隔离区、体以及前、后栅，前栅为多晶硅，前栅与沟道区之间设有一层栅氧，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体直接固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。与传统的ＦｉｎＦＥＴ相比，本发明专利技术结构具有两个不同类型的控制栅，其中后栅（Ｐ－Ｎ结栅）用来耗尽沟道区，抑制泄漏电流；前栅用来在沟道区产生反型层，产生大的驱动电流。且本发明专利技术后栅与体直接连接，大大加强了器件的栅控能力，缓解了对隔离区宽度的限制。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子半导体
，具体涉及一种准双栅场效应晶体管。
技术介绍
随着器件尺寸的不断缩小，器件的泄漏电流成为器件缩小的主要障碍。近几十年来，科研工作者不断提出新的技术和器件结构，比如SOI(Silicon-on-Insulator)技术，双栅器件，三栅器件，Ω栅器件，甚至是围栅器件。目的都是为了能减小器件的泄漏电流，增强器件的栅控能力。经过近几年的发展，双栅器件逐渐脱颖而出，被科学界普遍认为是最有可能被应用在工业界的器件之一。双栅器件具有非常完美的电学特性，例如很小的泄漏电流，很大的驱动电流以及非常理想的亚阈特性。而FinFET一直被认识实现双栅结构的最有效的方式(X.Huang，W.-C.Lee，C.Kuo，D.Hisamoto，L.Chang，J.Kedzierski，E.Anderson，H.Takeuchi，Y.-K.Choi，K.Asano，V.Subramanian，T.-J.King，J.Bokor，C.Hu，“Sub-50nm P-channel FinFET，”IEEE Trans.Electron Devices，vol.48，pp.880-88本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准双栅场效应晶体管，包括：源、漏区、体以及前、后栅，源、漏区与体之间设有隔离区，其特征在于：前栅为多晶硅，前栅与体之间通过栅氧连接，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。

【技术特征摘要】
1.一种准双栅场效应晶体管，包括源、漏区、体以及前、后栅，源、漏区与体之间设有隔离区，其特征在于前栅为多晶硅，前栅与体之间通过栅氧连接，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体固定连接，形成P-N结。2.如权利要求1所述的准双栅场效应晶体管，其特征在于体的宽度控制在前、后栅长度的3/5～1范围。3.如权利要求1或2所述的准双栅场效应晶体管，其特征在于隔离区的宽度为前、后栅的长度的2～4倍。4.如权利要求3所述的准双栅场效应晶体管，其特征在于隔离区的长度控制在前、后栅的长度的1～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，黄如，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]