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本发明提供了一种准双栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该准双栅场效应晶体管包括：源、漏区、隔离区、体以及前、后栅，前栅为多晶硅，前栅与沟道区之间设有一层栅氧，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体直接固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。与传统的ＦｉｎＦＥ...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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