半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件技术

本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使用第一材料层作为刻蚀掩膜，对半导体结构进行刻蚀，直至达到预设高度；在半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；刻蚀第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，以形成第三伪栅结构；去除第一伪栅结构和第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。

技术介绍

1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。

2、在采用传统的顺序(sequential)方案制备堆叠晶体管(stacked transistor)时，上下层晶体管之间的栅极结构难以自对准，制备工艺复杂。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体结构的的制备方法、半导体结构及半导体器件，以实现上下层晶体管之间的栅极结构自对准。

2、该方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；其中，有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层，第一区域位于有源结构两侧的栅极区域；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用所述第一材料层作为刻蚀掩膜，对所述半导体结构所述进行刻蚀，直至达到预设高度，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一伪栅结构和所述第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构，包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一区域上形成第一材料层，包括：

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用所述第一材料层作为刻蚀掩膜，对所述半导体结构所述进行刻蚀，直至达到预设高度，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一伪栅结构和所述第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构，包括：

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一区域上形成第一材料层，包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在刻蚀后的所述衬底上沉积硬掩膜材料直至填平所述有源结构形成的第二凹槽之...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，葛延栋，卢浩然，孙嘉诚，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：