本实用新型专利技术涉及有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。本实用新型专利技术的有益效果是：相对于现有技术中开关晶体管Ｔ１的上方只有一个金属薄膜带与活性层的交叉点，增加了金属薄膜带与活性层的交叉点后，使得开关晶体管Ｔ１的开关效果更好，可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及平面显示技术，尤其涉及有机发光器件(OLED)像素电路。
技术介绍
通常，有机发光显示器件是由NXM个发光像素单元按照矩阵结构排列组合而成， 每个发光像素单元都包含一个有机发光二极管和一个对应的像素电路。如图1所示，现有 的像素电路主要由两个晶体管和一个电容组成，其中，开关晶体管Tl的栅极和源极分别和 扫描线SCAN(扫描选择信号SCAN)和数据线DATA(数据信号DATA)连接，开关晶体管Tl 的漏极和驱动晶体管T2的栅极连接；驱动晶体管T2的漏极和电源线VDD(电源信号VDD) 连接，源极和有机电致发光二极管Dl连接从而提供用于Dl发光的电流；电容器Cl连接在 驱动晶体管T2的源极和栅极之间用于在预定时间内维持对驱动晶体管T2所施加的电压。 上述结构的像素电路的运行过程是当开关晶体管Tl根据施加于其栅极的扫描选择信号 SCAN而被导通时，数据信号DATA被施加于驱动晶体管T2的栅极和电容器Cl上，与数据信 号DATA相匹配的电流被存储在电容器Cl中，当驱动晶体管T2被导通时，储存在电容器Cl 中的电流被释放出来流经有机电致发光二极管Dl并使其发光。图2和图3是对应于图1所示的像素电路的开关晶体管Tl的面板的制造方法和 结构，在基板上形成缓冲层，然后利用常规方法，通过在缓冲层上相继形成活性层1，栅绝缘 层2和栅电极层3和绝缘层7，然后在活性层1两端的上层中开孔，孔内分别为和活性层1 两端相接触的源电极4和漏电极5，从而形成像素电路的开关晶体管Tl，为了增加接触处的 导电效果，还在源电极4和漏电极5上设置了连接金属薄膜6。理想状态下，当开关晶体管Tl被截止时，从开关晶体管Tl的源极(Source)流向 漏极(Drain)的电流应该为零；但是，实际状态下却会存在很微小的电流，这种电流被称为 漏电流，漏电流越小，对像素电流的发光性能就影响最小。
技术实现思路
本技术的目的是为了减少有机发光器件像素电路的开关晶体管的漏电流，提 供了有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构。本技术的技术方案有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位 于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层 的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两 条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金 属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。本技术的有益效果是相对于现有技术中开关晶体管Tl的上方只有一个金 属薄膜带与活性层的交叉点，增加了金属薄膜带与活性层的交叉点后，使得开关晶体管Tl 的开关效果更好，可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。附图说明图1现有技术中有机发光显示器件像素电路的电路原理图。图2是图1中薄膜晶体管在面板中的平面结构示意图。图3是图1中薄膜晶体管在面板中的截面结构示意图。图4是本技术实施例1的薄膜晶体管在面板中的平面结构示意图。图5是本技术实施例2的薄膜晶体管在面板中的平面结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明。实施例1 如图4所示，有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于 最下层的活性层1，位于活性层1之上的栅绝缘层(图中未示出)和位于栅绝缘层之上的栅 电极层3，活性层1的左右两端分别和源电极4和漏电极5连接，活性层1呈“一”字形，活 性层1之上的栅电极层3由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层1的中 间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层1的上方后在活性层1的一侧交汇连 接。实施例2 如图5所示，一种有机发光器件像素电路的薄膜晶体管结构，包括位于 最下层的活性层1，位于活性层1之上的栅绝缘层(图中未示出)和位于栅绝缘层之上的 栅电极层3，活性层1的左右两端分别和源电极4和漏电极5连接，活性层1呈“一”字形， 活性层1之上的栅电极层3由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层1的 中间位置形成两处交叉点，金属薄膜带通过活性层1的上方后在一侧交汇连接。所述活性 层的中间位置具有接触孔，并在所述接触孔内嵌入金属材料用以降低延长后的活性层的阻 抗。为了进一步增强导电性能，还可以在打有接触孔的活性层1的上部设置连接金属薄膜 6。在接触孔内嵌入导电性能极好的金属后可以显著降低其阻抗，抵消了由于活性层长度的 增加，所带来的阻抗的增加对像素电路的不良影响，因为接触孔的相应工序是晶体管制造 中固有的，所以不需要增加设备或工序。上述源电极4、漏电极5和活性层1中间位置的接触孔内的金属材料可以采用钨化 钼，铝，铜等(MoW，AL, Cu, etc)导电性能良好的金属或合金材料。上述活性层的材料为半 导体。本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本实 用新型的原理，应被理解为本技术的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。 本领域的普通技术人员可以根据本技术公开的这些技术启示做出各种不脱离本实用 新型实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本技术的保护范围内。权利要求1.有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活 性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和 漏电极连接，其特征在于，所述活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金 属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通 过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。2.根据权利要求1所述的有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，其特征在 于，所述活性层的中间位置具有接触孔，在所述接触孔内嵌入金属材料用以降低延长后的 活性层的阻抗。专利摘要本技术涉及有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。本技术的有益效果是相对于现有技术中开关晶体管T1的上方只有一个金属薄膜带与活性层的交叉点，增加了金属薄膜带与活性层的交叉点后，使得开关晶体管T1的开关效果更好，可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。文档编号G09G3/32GK201893344SQ20102066181公开日2011年7月6日 申请日期2010年12月15日 优先权日2010年12月15日专利技术者洪宣杓, 闫晓剑 申请人:四川虹视显示技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，其特征在于，所述活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪宣杓，闫晓剑，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]
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