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一种场效晶体管包含一基板（３０）具有一第一传导类型之一掺杂，一漏区（５０，５２，５４）在基板（３０）中具有与第一传导类型相反之一第二传导类型之一掺杂，一源区（４０）于基板（３０）中与漏区（５０，５２，５４）侧向间隔且具有第二传导类型之一掺杂...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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