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场效应晶体管制造技术
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文档序号:3233850
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一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层结构;彼此分离地形成在所述Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106);栅电极(110),其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间;以及绝缘层...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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