具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件制造技术

一种半导体器件，具有Ｐ型半导体衬底１、在半导体衬底１上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有Ｎ型基区４，Ｎ型集电极区７ａ、Ｎ型发射极区８以及Ｐ型绝缘扩散区７ｂ用来隔离纵向型和横向型双极晶体管，横向型双极晶体管的集电区和发射区中的至少一个区的深度与绝缘扩散区７ｂ的深度基本上相同。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地说，本专利技术涉及一种具有纵向型双极晶体管和横向型双极晶体管的半导体器件。双极晶体管由于运行速度快，驱动性能高以及模拟特性卓越而广泛应用于几乎所有高速运行的半导体器件领域，以及家用电子设备的半导体集成电路。有两种双极晶体管，即NPN型双极晶体管和PNP型双极晶体管，在集成电路中，通常使用纵向NPN型晶体管(以下称为“NPN晶体管”)，其具有三个掺杂区，在半导体衬底上沿深度方向依次形成发射区、基区和集电区；以及横向型PNP晶体管，(下文中称之为L-PNP晶体管)，在制造NPN晶体管的过程中，不需要增加任何步骤，就能形成上述L-PNP晶体管。图4(a)到4(d)是具有NPN晶体和和L-PNP晶体管的传统双极集成电路的截面图，按顺序表示其制造步骤。首先，如图4(a)所示，在P-型硅衬底1上形成N+型掩埋层2和P+型掩埋层3，然后，其上生长一层N-型外延层4。外延层的杂质浓度和厚度取决于晶体管的击穿电压，通常分别在1×1015～1×1017cm-3和1～1μm的范围内选择。在形成外延层之后，利用普通的选择氧化法，形成厚氧化膜(以下称为“LOCOS氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 第一导电型的半导体衬底； 在所述的半导体衬底上形成的纵向型双极晶体管，其具有所述第一导电型的基区； 在所述的半导体衬底上形成的横向型双极晶体管，其具有与所述第一导电型相反的第二导电型的基区，所述第一导电型的集电极区和所述第一导电型的发射极区；以及 所述第一导电型的绝缘扩散区，用来隔离所述的纵向型和横向型双极晶体管； 所述的集电极区和发射极区中的至少一个区的深度与所述的绝缘扩散区的深度基本上相同。

【技术特征摘要】
JP 1996-12-20 341403/961.一种半导体器件，包括第一导电型的半导体衬底；在所述的半导体衬底上形成的纵向型双极晶体管，其具有所述第一导电型的基区；在所述的半导体衬底上形成的横向型双极晶体管，其具有与所述第一导电型相反的第二导电型的基区，所述第一导电型的集电极区和所述第一导电型的发射极区；以及所述第一导电型的绝缘扩散区，用来隔离所述的纵向型和横向型双极晶体管；所述的集电极区和发射极区中的至少一个区的深度与所述的绝缘扩散区的深度基本上相同。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥诚一，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]