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一种半导体器件，具有Ｐ型半导体衬底１、在半导体衬底１上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有Ｎ型基区４，Ｎ型集电极区７ａ、Ｎ型发射极区８以及Ｐ型绝缘扩散区７ｂ用来隔离纵向型和横向型双极晶体管，横向型双极晶体管的集电区和发射区...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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