用于半导体器件的外延膜生长方法技术

这里公开了用超高真空ＣＶＤ在硅衬底上外延生长硅或硅－锗合金膜的方法。该方法防止在用氢氟酸水溶液进行预处理以去除衬底表面上的氧化膜的情况下，在外延膜与硅衬底界面上存在高浓度碳。外延膜生长的温度规定在６５０℃至８００℃。该温度条件下，使外延生长中生长面下的最外边的最外层中的硅原子与第２层中的碳原子位置互换，使碳向上移动并分凝到生长面。因此，外延膜与硅衬底界面的碳浓度下降。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造半导体器件的外延膜生长方法，特别涉及用化学汽相淀积(CVD)在单晶硅衬底上形成硅基材料外延膜的方法。近来，用室(反应腔)内压力可设定于10-9乇以下的超高真空CVD设备在半导体衬底上生长硅(Si)外延膜或硅锗合金(SiGe)外延膜。用超高真空CVD设备能抑制室内氧的分压，因而，能在接近600℃的较低温度外延生长。为了在硅衬底上外延生长硅膜等，必须预处理硅衬底，以除去硅衬底上形成的氧化硅膜。用超高真空CVD的常规处理方法中，用汽化作用除去氧化硅膜。用在超高真空气氛中热处理，使氧化硅与硅衬底反应，由此生成高挥发性的SiO分子，以除去氧化硅。由于处理温度必须高到能实现反应的程度，该热处理必须在900℃以上的温度进行。由于在较低温度不能进行外延生长，整个工艺的最高温度应高于预处理温度。为了控制半导体衬底的导电类型，对允许掺杂的杂质如硼(B)或磷的扩散，900℃的温度是足够的。以前，热预处理中的硼、磷等的扩散距离与器件的大小相比可以忽略不计，因此，杂质扩散不构成问题。然而，近来，随着器件结构小型化程度的提高，设计的结深度减小，对于制造高集成度的半导体器件而言，处理中本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅衬底上外延膜的生长方法，包括以下步骤：用氢氟酸处理，除去所述硅衬底上的氧化硅；在６５０至７７５℃的生长温度，超高真空ＣＶＤ在所述被氢氟酸处理过的衬底表面上生长外延膜。

【技术特征摘要】
JP 1995-10-30 281543/951.硅衬底上外延膜的生长方法，包括以下步骤用氢氟酸处理，除去所述硅衬底上的氧化硅；在650至775℃的生长温度，超高真空CVD在所述被氢氟酸处理过的衬底表面上生长外延膜。2.硅衬底上外延膜的生长方法，包括以下步骤用氢氟酸水溶液处理，除去所述硅衬底表面上的氧化硅膜；用超高真空CVD在所述处理过的表面上生长包括硅的外延膜材料，其特征是，所述生长过程中衬底的温度范围是650℃至775℃，材料气体的分压是5×10-4乇以下。3.按权利要求1或2的外延膜生长方法，其特征是，所述硅衬底表面是(00...

【专利技术属性】
技术研发人员：青山亨，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]