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这里公开了用超高真空ＣＶＤ在硅衬底上外延生长硅或硅－锗合金膜的方法。该方法防止在用氢氟酸水溶液进行预处理以去除衬底表面上的氧化膜的情况下，在外延膜与硅衬底界面上存在高浓度碳。外延膜生长的温度规定在６５０℃至８００℃。该温度条件下，使外延生长...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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