半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了散热性质与电性质有了改进的适用于具有一批电极的半导体器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半导体晶片的表面与上面形成有焊盘的电路基片相互面对。由聚酰亚胺带与ＴＡＢ引线组成ＴＡＢ带。隆起部与焊盘通过扁平的ＴＡＢ带相互电连。焊盘通过电路基片中的互连线与内部连接电极电连。从隆起部延伸到焊盘的ＴＡＢ引线的长度减小，因而使通过ＴＡＢ引线的信号能改进电特性。ＴＡＢ带的应用可使此半导体器件适用于具有多个隆起部的半导体晶片。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。具体地说，本专利技术涉及一种包括有集成电路封装的且散热性质与电性质有了改进的半导体器件，以及这种半导体器件的制造方法。图35示明了一种称作为OMPAC(模制塑料焊点阵列载体)的常规的半导体器件。在图35中，标号1指包括形成在自身表面(图35中的上表面)上的集成电路的半导体芯片；标号3指有一个表面与上述半导体芯片表面相反一面相连的电路基片；标号4指形成在电路基片3上述相反面上的外连接电极；标号40指用在半导体芯片1上述表面上与电路基片3上形成的电极(未示明)之间电连接的引线；标号8指围绕半导体芯片1来保护半导体器件的密封树脂(模制件)。电路基片3中的信号线(未示明)在引线40与外连接电极4之间确立电连接。具上述结构的常规半导体器件存在下述一些问题。引线40的应用会影响通过此引线的信号的电特性。此外，由于不易用小的间距来结合引线，这种常规的半导体器件就很难的用到具有一批电极的半导体芯片1上。此外，还会使产生了热的半导体芯片1散热性质不良。根据本专利技术第一方面，给出了一种半导体器件，它包括芯片，在它的表面上形成有第一电极；基片，在它的表面上形成有第二电极；以及用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，此器件包括：芯片，在其表面上形成有第一电极；基片，在其表面上形成有第二电极；以及ＴＡＢ（载带自动键合）带，它用来在上述第一电极与第二电极间形成电连接，上述芯片表面与所述基片表面成为面对面关系，而上述ＴＡＢ 带只设在所述芯片表面与基片表面之间。

【技术特征摘要】
JP 1996-2-1 016616/961.一种半导体器件，此器件包括芯片，在其表面上形成有第一电极；基片，在其表面上形成有第二电极；以及TAB(载带自动键合)带，它用来在上述第一电极与第二电极间形成电连接，上述芯片表面与所述基片表面成为面对面关系，而上述TAB带只设在所述芯片表面与基片表面之间。2.如权利要求1所述半导体器件，特征在于此器件还包括有散热器，它与上述芯片连接，由具有良好散热性的材料制成。3.如权利要求1所述半导体器件，特征在于此器件还包括外部电极，它形成在上述基片反面上不直接在所述第二电极与TAB带连接点之下的位置处，此外部电极与所述第二电极电连。4.如权利要求1所述半导体器件，特征在于此器件还包括接地元件，用来使所述TAB带起到微带线的作用。5.如权利要求1所述半导体器件，特征在于，此器件还包括形成在所述基片上并同所述第二电极连接的信号线；以及与地相接用来使所述第二电极和信号线起到微带线作用的元件。6.如权利要求1所述半导体器件，特征在于，此器件还包括形成在所述基片上并同所述第二电极连接的信号线；以及与地相接用来使所述第二电极和信号线起到共面带状线作用的元件。7.如权利要求4所述半导体器件，特征在于上述元件包括于所述TAB带中。8.如权利要求4所述半导体器件，特征在于上述元件是形成在所述基片的所述表面上。9.如权利要求1所述半导体器件，特征在于，此器件还包括形成在所述基片上并与所述第二电极连接的信号线；以及与地连接用来使所述第二电极与所述信号线起到微带线或共面带状线作用的元件，此元件则设置在所述TAB带与信号线之间。10.如权利要求1所述半导体器件，特征在于，此器件还包括形成在所述基片表面上，在所述芯片下并且是在此基片表面上开挖出的腔；形成在上述腔中的第三电极；以及形成在所述芯片表面上的第四电极，此第三电极与第四电极电连。11.如权利要求1所述半导体器件，特征在于，它还包括形成在所述基片的所述表面上在所述芯片下的第三电极；形成在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山世见之，小林正夫，柴田润，马场伸治，渡边正树，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]