电子组件结构体制造技术

一种电子组件结构体，要解决当使半导体元件（１）与带状载体（５）的内引线（６）接合时，多余合金层（９）流至半导体元件（１）的边缘与之接触而引起半导体元件（１）工作不良这一问题。将金属线顶端熔融形成的金属球接合在半导体元件（１）的电极（２）之上，在电极（２）上形成凸头（１１），并在带状载体（５）内引线（６）表面形成镀层，使内引线（６）与凸头（１１）位置对准，在此状态使镀层熔融，利用合金层（９）使半导体元件（１）与内引线（６）接合。该电子组件结构体在电极（２）上形成有多个凸头（１１），增大了保持合金层（９）的力，阻止了合金层（９）的流动。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用焊锡等的低熔点合金将半导体元件电极与带状载体的内引线相连接而成的电子组件结构体，尤其涉及使金属线顶端形成的金属球与半导体元件电极结合形成凸头后，再与带状载体的内引线连接而成的电子组件结构体。
技术介绍
作为半导体元件电极与带状载体的内引线相连接而成的电子组件结构体，例如已有如图25-图29所示的电子组件结构体。即，如图25所示，通过电镀法在半导体元件1的电极2上形成有锡或焊锡等的凸头3。4是保护半导体元件1的有效面的钝化膜。又如图26所示，带状载体5的各内引线6与上述各电极2上形成的凸头3呈相对状态地定位于凸头3之上。然后，如图27所示，用加热后的焊头7一下按压各内引线6的顶端部。其结果如图28所示，形成于各内引线6表面的锡或焊锡之类的镀层8发生熔融，凸头3与内引线6通过合金层9连接，形成电子组件结构体。但是，如图25所示用电镀法能形成的凸头3的最大高度H为约20μm，很低，所以存在如下问题，即，当使所述镀层8熔融、通过合金层9使凸头3与内引线6相连接时，如图29所示，与熔融后的合金层9的量相比，内引线6与半导体元件1的间隙较小，导致多余的合金层9a与半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子组件结构体，当使半导体元件（１）与带状载体（５）的内引线（６）接合时，将金属线（１２）顶端熔融形成的金属球（１５）接合在所述半导体元件（１）的电极（２）之上，在所述半导体元件（１）的电极（２）上形成凸头（１１），并在所述内引线（６）表面形成镀层（８），使所述内引线（６）与半导体元件（１）的凸头（１１）位置对准，在此状态使所述镀层（８）熔融，利用合金层（９）使半导体元件（１）与所述内引线（６）接合，其特征在于，在半导体元件（１）的电极（２）上形成的由所述金属球（１５）造成的凸头（１１）有多个。

【技术特征摘要】
JP 1996-6-10 146921/961.一种电子组件结构体，当使半导体元件(1)与带状载体(5)的内引线(6)接合时，将金属线(12)顶端熔融形成的金属球(15)接合在所述半导体元件(1)的电极(2)之上，在所述半导体元件(1)的电极(2)上形成凸头(11)，并在所述内引线(6)表面形成镀层(8)，使所述内引线(6)与半导体元件(1)的凸头(11)位置对准，在此状态使所述镀层(8)熔融，利用合金层(9)使半导体元件(1)与所述内引线(6)接合，其特征在于，在半导体元件(1)的电极(2)上形成的由所述金属球(15)造成的凸头(11)有多个。2.一种电子组件结构体，当使半导体元件(1)与带状载体(5)的内引线(6)接合时，将金属线(12)顶端熔融形成的金属球(15)接合在所述半导体元件(1)的电极(2)之上，在所述半导体元件(1)的电极(2)上形成凸头(11)，并在所述内引线(6)表面形成镀层(8)，使所述内引线(6)与半导体元件(1)的凸头(11)位置对准，在此状态使所述镀层(8)熔融，利用合金层(9)使半导体元件(1)与所述内引线(6)接合，其特征在于，在半导体元件(1)的电极(2)上形成的由所述金属球(15)造成的凸头(11)之上，再结合上在金属线(12)顶端形成的金属球(15)，拉断所述金属线(12)使所述金属球(15)留下呈接合在所述凸头(11)上面的状态，在半导体元件(1)的电极(2)之上形成至少2层以上的金属球(15)造成的凸头(11)。3.根据权利要求1所述的电子组件结构体，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：原法人，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]