膜载体的制造方法和在该方法中使用的掩膜及膜载体技术

本发明专利技术是将导体图形复制到安装电子元件的膜载体上的方法，利用在涂敷了光致抗蚀剂的膜载体上备有导体图形和２个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模，预备性地复制掩模图形，测定被复制了的位置重合用的标记相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移，调节掩模相对于膜载体的位置，其后将所述掩模图形正式复制到膜载体上。此外，公开了备有用于实施所述方法的导体图形和２个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模。还公开了在导体层表面除了导体图形以外复制了对于膜的２个以上的导体图形的位置重合用的标记的膜载体。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在以TAB方式安装半导体元件等的电子元件时使用的膜载体中，将导体图形复制到适当的位置上的方法和在该方法中使用的掩模。
技术介绍
在以TAB(Tape Automated Bonding带自动键合)方式安装半导体元件等的电子元件时，使用膜载体作为底座基板。在附图说明图1中示出该膜载体的例子。膜载体具备作为底座材料的绝缘性的膜2；设置在该膜上的导体图形8和设置在离膜2的两端的隔开预定距离的位置上的开口部6。将图1中的开口部6设置成位于带的宽度方向(与传送方向垂直的方向)上大致中央的位置。在膜2中，在其传送方向上以沿两边的方式形成了标记孔(index perforation holes)(也称为输送孔。以下称为「IP」)4。该IP4控制例如在膜上形成导体图形时等的膜载体制造时、在ILB(inner lead bonding内引线键合)工序时的输送、位置确定等所有的输送工序中的膜输送，同时也将该IP4用作膜上的位置坐标的基准。设置成导体图形8的一部分突出(突出部称为「内引线」)到开口部6中，由该内引线将半导体元件等的电子元件电连接。即，电子元件的电极部位于开口部6的区域内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将导体图形复制到膜载体上的方法，包括下述工序： （ａ）将光致抗蚀剂涂敷到由具有开口部的膜和涂敷该膜的导体层构成的膜载体的所述导体层表面上的工序； （ｂ）利用具备了由导体图形形成用的图形和２个以上的位置重合用的标记构成的掩模图形的掩模，将所述掩模图形投影到所述膜载体的所述光致抗蚀剂上，预备性地进行复制的工序； （ｃ）测定所述被复制了的位置重合用的标记的相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移的工序； （ｄ）根据所述偏移调节所述掩膜的相对于膜载体的位置的工序；和 （ｅ）在调节了所述掩模的相对于膜载体的位置后，将所述掩模图形正式复制到膜载体上的工序。

【技术特征摘要】
JP 1996-6-25 165001/961.一种将导体图形复制到膜载体上的方法，包括下述工序(a)将光致抗蚀剂涂敷到由具有开口部的膜和涂敷该膜的导体层构成的膜载体的所述导体层表面上的工序；(b)利用具备了由导体图形形成用的图形和2个以上的位置重合用的标记构成的掩模图形的掩模，将所述掩模图形投影到所述膜载体的所述光致抗蚀剂上，预备性地进行复制的工序；(c)测定所述被复制了的位置重合用的标记的相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移的工序；(d)根据所述偏移调节所述掩模的相对于膜载体的位置的工序；和(e)在调节了所述掩模的相对于膜载体的位置后，将所述掩模图形正式复制到膜载体上的工序。2.根据权利要求1所述的将导体图形复制到膜载体上的方法，其中从所述被复制了的2个以上的位置重合用的标记中选择至少1个标记，测定该标记的相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的在X轴和Y轴方向上的偏移，再在该标记与另外选择的1个标记之间设定假想直线，利用所述假想直线比较并测定对于所述基准坐标的角度与设计角度的偏移，调节所述掩模的相对于膜载体的在X轴和Y轴方向上的偏移和角度。3.根据权利要求1或2所述的将导体图形复制到膜载体上的方法，其中所述位置重合用的标记是关于中心点呈点对称的形状的标记。4.根据权利要求1或2所述的将导体图形复制到膜载体上的方法，其中将所述位置重合用的标记复制到所述开孔部上，在调节所述掩模的相对于膜载体的位置后，利用刻蚀使该标记消失。5.一种将导体图形复制到安装电...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤泽秀树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]