【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置的制造方法、半导体装置制造用模具和半导体装置，特别是涉及具有芯片尺寸封装构造的半导体装置的制造方法、半导体装置用模具和半导体装置。近些年来，随着对电子机器和装置的小型化的要求，人们正在谋求半导体装置的小型化和高密度化。因此，采用使半导体装置的形状极力接近半导体器件(芯片)的办法来谋求小型化。提出了所谓芯片尺寸封装构造的半导体装置的方案。此外，当因高密度化而使之多管脚化且使半导体装置小型化时，则外部连接端子的步距将会变窄。为此，作为可以节省空间地形成比较多的外部连接端子的构造，进行了把突出电极用作外部端子的工作。附图说明图1(A)示出了在现有的裸片(倒装芯片)装配中所用的半导体装置的一个例子。示于同图的半导体装置1，粗分起来，由半导体器件2(半导体芯片)和多个突出电极4等构成。在半导体器件2的下表面上，例如，矩阵状地形成了多个将成为外部端子的突出电极4。该突出电极4由于是用焊锡等的软金属形成的电极，所以易于受损伤，因而难于实施装卸和测试。同样，半导体器件2由于也是裸露芯片状态，因而易于受损伤，因此和突出电极4一样难于实施装卸和测试。此外...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征是具有下述工序： 树脂密封工序，用于把已形成有配设了突出电极的多个半导体器件的基板装设到模具内，接着，向上述突出电极的配设位置上供给密封树脂，把上述突出电极和上述基板用上述密封树脂密封，形成树脂层； 突出电极露出工序，用于通过上述树脂层使上述突出电极的至少顶端部分露出来； 分离工序，用于与上述树脂层一起切断上述基板以分离成一个一个的半导体器件。
【技术特征摘要】
JP 1997-1-23 10683/97;JP 1997-7-7 181132/97;JP 1991.一种半导体装置的制造方法，其特征是具有下述工序树脂密封工序，用于把已形成有配设了突出电极的多个半导体器件的基板装设到模具内，接着，向上述突出电极的配设位置上供给密封树脂，把上述突出电极和上述基板用上述密封树脂密封，形成树脂层；突出电极露出工序，用于通过上述树脂层使上述突出电极的至少顶端部分露出来；分离工序，用于与上述树脂层一起切断上述基板以分离成一个一个的半导体器件。2.权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中所用的密封树脂，使之计量为密封处理后的上述树脂层的高度变成为大体上与上述突出电极的高度相等的高度的量。3.权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中，构成为在上述突出电极与上述模具之间配设薄膜，使上述模具通过上述薄膜与上述密封树脂接触。4.权利要求1～3中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中所用的模具构成为由可升可降的上模和由已被固定的第1半个下模及对应第1半个下模可升可降的第2半个下模构成的下模构成，同时，上述树脂密封工序还具有下述工序装设基板的工序，用于把已形成有配设了上述突出电极的多个半导体器件的基板装设于使上述第1和第2半个下模协同动作而形成的空腔内的同时，把上述密封树脂配设到上述空腔内；树脂层形成工序，用于采用使上述上模和上述第2半个下模共同向下移动的办法，使上述密封树脂加热、熔融、压缩，形成密封上述突出电极的树脂层；脱模工序，用于首先使上模上升，使上述上模从上述树脂层脱离开，接着使第2半个下模对第1半个下模进行升降的办法，使已形成了上述树脂层的基板从上述模具中脱模。5.权利要求1～4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序所用的模具中，设置剩余树脂除去机构，用该剩余树脂除去机构除去剩余树脂的同时，控制上述模具内的密封树脂的压力。6.权利要求1～5中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中，把薄片状树脂用作密封树脂。7.权利要求3或6中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在实施上述树脂密封工序之前，预先把上述密封树脂配设到上述薄膜上。8.权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征是采用在上述薄膜上把上述密封树脂配设为多个并使上述薄膜移动的办法，使得可以连续地实施上述树脂密封工序。9.权利要求1～8中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中，在把上述基板装到上述模具中之前先装上增强板。10.权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征是选定散热性良好的材料作为上述增强板。11.权利要求1～10中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是作为使在上述突出电极露出工序中突出电极的至少顶端部分从上述树脂层中露出来的方法，用激光照射、准分子激光、刻蚀、机械研磨、和喷砂之内的至少一种方法。12.权利要求3～10中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是作为在上述树脂密封工序中所用的上述薄膜的材质，选定可以进行弹性变形的材质，在用上述模具形成上述树脂层的时候，在使上述突出电极的顶端部分沉入上述薄膜中去的同时，在上述突出电极露出工序中，采用把上述薄膜从上述树脂层上剥离下来的办法，使上述突出电极的顶端部分从上述树脂层中露出来。13.一种半导体装置制造用模具，其特征是，其构成如下由可以升降的上模、由与基板的形状对应的固定的第1半个下模和被配设为把上述第1半个下模围绕起来的同时对上述第1半个下模可以升降的第2半个下模构成的下模构成，且形成使上述上模和下模协同动作进行树脂填充的空腔。14.权利要求13所述的半导体装置制造用模具，其特征是设置剩余树脂除去机构，在树脂成型时，除去剩余树脂的同时，控制上述模具内的密封树脂的压力。15.权利要求13或14所述的半导体装置制造用模具，其特征是在上述第1半个下模的要载置上述基板的部位上，设置使上述基板固定和脱模到上述第1半个下模中的固定脱模机构。16.权利要求15所述的半导体装置制造用模具，其特征是由配设在上述第1半个下模的载置上述基板的部位上的多孔质构件和对上述多孔质构件进行气体的吸引处理和气体的供给处理的吸排气装置构成上述固定和脱模机构。17.权利要求13～16中的任何一项所述的半导体装置制造用模具，其特征是在已形成了上述空腔的状态下，做成为下述构成具有用第2半个下模围绕起来的面积比上述第1半个下模的上部面积还大的展宽的部分。18.一种半导体装置，其特征是具备至少是在表面上直接形成突出电极而构成的半导体器件；在上述半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层。19.权利要求18所述的半导体装置，其特征是其构成为在上述半导体器件的对应形成上述突出电极的表面的相对一侧的背面上，已配设有散热构件。20.权利要求1～12中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是作为在上述树脂密封工序中所用的密封树脂，施用具有不同特性的多个密封树脂。21.权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中已预先把上述密封树脂配设到了上述增强板上。22.权利要求21所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述增强板上在装到模具中的状态下，采用形成向着基板延伸的框架部分的办法来形成凹部，在上述树脂密封工序的实施时，把上述在增强板上形成的凹部用作树脂密封用的空腔，在上述基板上形成树脂层。23.权利要求1～12中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在用上述树脂密封工序在已配设了上述突出电极的述基板的表面上形成了第1树脂层后，或者同时，形成第2树脂层使得把上述基板的背面覆盖起来。24.权利要求3～10中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中，作为上述薄膜，还可以用在与上述突出电极相向的位置上已形成了凸出部分的薄膜，在把上述凸出部分推压到上述突出电极上的状态下形成上述树脂层。25.权利要求1～12中的任何一项或权利要求20～24中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述突出电极露出工序中，在上述突出电极的至少是顶端部分从上述树脂层中露出来之后，实施在上述突出电极的顶端部分上形成外部连接用突出电极的外部连接用突出电极形成工序。26.权利要求25所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述外部连接用突出电极形成工序中，用具有应力缓和功能的接合材料使上述突出电极与上述外部连接用突出电极进行接合。27.权利要求1～12中的任何一项或权利要求20～26中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在实施上述树脂密封工序之前，在上述基板的上述分离工序中将被切断的位置上预先形成切断位置沟，在上述分离工序中，在已填充上上述密封树脂的上述切断位置沟的形成位置上切断上述基板。28.权利要求1～12中的任何一项或权利要求20～26中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在实施上述树脂密封工序前，预先把将要在上述基板的上述分离工序中切断的位置夹在中间形成至少一对应力缓和沟，在上述分离工序中，在上述一对应力缓和沟之间的位置上切断上述基板。29.一种半导体装置的制造方法，其特征是具备下述工序第1分离工序，采用切断已形成了具有突出电极的多个半导体器件的基板的办法，分离每一半导体器件；树脂密封工序，在把已分离的上述半导体器件排列并搭载到基底材料上之后，用上述密封树脂把上述所搭载的半导体器件密封起来，并形成树脂层；突出电极露出工序，使上述突出电极的至少是顶端部分从上述树脂层中露出来；第2分离工序，采用在相邻的上述半导体器件间的位置上，与上述基底材料一起，切断上述树脂层的办法，一个一个地分离已形成了上述树脂层的半导体器件。30.一种半导体装置的制造方法，其特征是具备下述工序树脂密封工序，把已经形成了已在表面上形成有与外部相连的外部连接电极的多个半导体器件的基板装到模具内，接着，把密封树脂供给到上述表面上并用上述密封树脂对上述外部连接电极和上述基板进行密封，形成树脂密封层；分离工序，在已形成了上述外部连接电极的位置上与上述树脂层一起切断上述基板分离成各个半导体器件。31.权利要求30所述的半导体装置的制造方法，其特征是使得上述外部连接电极在已形成于上述基板上的相邻的半导体器件间公用化。32.权利要求1～12中的任何一项或权利要求20～31中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是至少在上述树脂密封工序的实施后，且在实施上述分离工序前，在上述树脂层或上述基板的背面上形成定位沟。33.权利要求32所述的半导体装置的制造方法，其特征是上述定位沟采用在上述树脂层或上述基板的背面上进行半划线的办法形成。34.权利要求3～12中的任何一项或权利要求20～29中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序中，作为上述薄膜应用在不妨碍上述突出电极的位置上已形成了凹部或凸部的薄膜，在上述树脂密封工序结束后，作为定位部分，可以用借助于上述凸部或凹部，在上述树脂层上形成的凹凸位置。35.权利要求1～12中的任何一项或权利要求20～29中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是在上述树脂密封工序结束后，对用作定位基准的定位用突出电极的形成位置上的密封树脂进行加工，使得可以识别上述定位用突出电极和其它的突出电极。36.一种半导体装置，其特征是具备在表面上形成了与外部端子电连的外部连接电极的半导体器件；使得把上述外部连接电极覆盖起来那样地在半导体器件的表面上形成的树脂层，在上述半导体器件和上述树脂层之间的交界面上，上述外部连接电极向侧方露了出来。37.权利要求36所述的半导体装置的装配方法，其特征是在对于装配基板呈直立状态下装配上述半导体装置。38.权利要求37所述的半导体装置的装配方法，其特征是在使上述半导体装置装配为多个并列状态的同时，还可以用粘接剂粘接相邻的上述半导体装置。39.权利要求37所述的半导体装置的装配方法，其特征是在把上述半导体装置装配为多个并列状态的同时，用支持构件把上述多个半导体装置支持为直立状态。40.权利要求18、19或36中的任何一项所述的半导体装置的装配方法，其特征是通过插入基板把上述半导体装置装配到装配基板上。41.权利要求18或17所述的半导体装置，其特征是上述树脂层由不同的多种树脂构成。42.一种半导体装置，其特征是具备至少在表面上直接形成突出电极而构成的半导体器件；在半导体器件的表面上形成，剩下上述突出电极的顶端部分，密封上述突出电极的第1树脂层；被配设为至少把上述半导体器件的背面覆盖起来的第2树脂层。43.一种半导体装置，其特征是具备至少在表面上直接形成突出电极而构成的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；在从上述树脂层中已露出来的上述突出电极的顶端部分形成的外部连接用突出电极。44.一种半导体装置的制造方法，至少具有把其构成为把半导体器件和引线配设到柔性基材之上的布...
【专利技术属性】
技术研发人员：深泽则雄，川原登志实，森冈宗知，大泽满洋，松木浩久，小野寺正德，河西纯一，丸山茂幸，竹中正司，新间康弘，作久间正夫，铃木义美，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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