半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带技术

一种用薄膜载带制造，封装尺寸接近芯片尺寸的半导体器件，且与半导体芯片的电极之间的连接部分不露出来的半导体器件及其制造方法。具有形成于模塑材料３６的填充区域之内并接合到半导体芯片４０的电极４２和焊盘部分２２上的连接引线２４，连接到连接引线２４上的电镀引线２６，电镀引线２６所连接的电镀电极２８，且在全体都已变成为导通状态下施行电镀，直到使连接部分２９进入模塑材料的填充区域内为止对连接部分２９进行冲切，使连接引线２４和电极４２接合，填充模塑材料３６。从孔３２中露出来的连接引线２４的端面也被模塑材料３６覆盖而不露出来。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带，特别是涉及封装尺寸接近于芯片尺寸的半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带。若追求半导体器件的高密度装配，则裸片装配是理想的。但是在裸片的状态下，难以保证品质和进行处理。于是，作为虽然已把裸片封装化但封装的尺寸接近裸片的尺寸的封装开发了CSP(Chip Scale／SizePackage，芯片规模／尺寸封装)。在以各种形态开发出来的CSP型的半导体器件之内，作为一种形态，有一种把柔软基板设于半导体芯片的有源面一侧，在该柔软基板上形成了多个外部电极的器件。在该CSP型的半导体器件中，外部电极设于半导体芯片的区域内。因此，例如象QFP(Quad Flat Package，方形扁平封装)或TCP(Tape Carrier Package，载带封装)那样，没有从封装本体的侧面突出来的所谓的‘外引线’。此外，在使用了柔软基板的CSP型的半导体器件中，例如，象在国际公开W095／08856号公报中所述的那样，人们已经知道向半导体芯片的有源面和柔软基板之间注入树脂以吸收热应力。若用该树脂把半导体芯片的与电极之间的接合部分全部覆盖起来，则可以防止电极的腐蚀。此外，在把半导体芯片装配到柔软基板上去的时候，若使用薄膜载带，则处理将变得更加容易且量产性也很好。在使用薄膜载带的方式中，在进行了半导体芯片的树脂密封之后，再从薄膜载带上切断每一个半导体器件。在这里，在形成于薄膜载带上的布线上，已实施了镀金。镀金是用电镀(也叫‘电解电镀’)的方法实施的。在电镀法中，一般的做法是使全部布线都导通，并把布线一直引出到与半导体芯片之间的装配区域的外侧。被引出的布线用作进行电镀的电极。另外，以往的情况是存在有外引线，并采用把外引线原样不变地进行引出的办法，也利用为电镀用的布线。此外，在使用现存的柔软基板的情况下，就必须有电镀用的电镀引线。通常，设有与连接引线直接相连的电镀引线，而且，人们知道这种构造应用了在现有的TCP中所用的TAB(Tape Automated Bonding，载带自动键合)用基板。但是，在要想保持原样不变地使用该以往就存在的TAB基板并把它用到CSP型的半导体器件中去的情况下，由于各个连接引线原封不动地直接连接到各个电镀引线上，所以如果在通常叫做外引线的地方切断的话，则各个引线端面就将从封装端面突出出来，引线端面部分肯定会露出来。在CSP型的半导体器件中，通过使封装外形接近于芯片尺寸的办法，芯片外形与封装外形之间的距离将变得非常地窄。因此，虽然说是使之封装化来保护半导体芯片，但是，与现有的封装比，就必须努力进一步提高包括围绕着半导体芯片的环境在内的可靠性。特别是在把上述的现有构造不加改变地应用到CSP型的半导体器件中去的情况下，由于从引线的切断面到半导体芯片的电极为止的距离非常短，而且还是引线端部什么也未覆盖地露出来的构造，所以易于通过引线进行电极的腐蚀。此外，邻近设置的引线间的间隔也越来越窄步距化，所以还会因在已露出来的切断面上存在有例如导电性的异物等等而发生引线间的短路，使功能受到损失。另一方面，如果从薄膜载带上切断每一个半导体器件，然后注入树脂，则可以避免上述问题。但是，在这种情况下，就必须个别地处理已变得零乱无序的半导体器件，于是就不能充分发挥应用薄膜载带方式的长处。本专利技术就是解决上边所说过的那样的课题的专利技术，这是一种用薄膜载带制造的封装尺寸接近于芯片尺寸的半导体器件，目的在于提供保持半导体芯片的可靠性的构造及其制造方法，以及把其周边围绕起来的电路基板和薄膜载带。本专利技术的半导体器件的制造方法，是一种应用了具有多个连接引线，在各个连接引线中，一方的端部被用作与半导体芯片的电极的连接，另一方的端部被用作与外部的连接的柔软基板的树脂密封型的半导体器件的制造方法，包括有第1工序，用于进行配置，使相当于薄膜载带的上述柔软基板的部位位于上述半导体芯片的上方，且使上述连接引线的上述一方和上述另一方位于上述半导体芯片的区域内；第2工序，用于在上述第1工序之后，使上述连接引线的上述一方的端部与上述半导体芯片的电极进行接合；第3工序，用于在上述第2工序之后，对包括上述已接合的电极在内的上述半导体芯片的有源面和包括上述连接引线的上述一方的端部在内的区域进行树脂密封；第4工序，用于在上述第3工序之后，从上述薄膜载带上切下单个芯片。其中，上述第4工序，理想的是在上述树脂密封后的区域的外侧进行。此外，在上述第1工序之前，还可以包括形成上述薄膜载带的工序。而形成上述薄膜载带的工序还可以包括下述工序在薄膜上形成导通图形的工序，该导通图形使电连形成在上述树脂密封区域内的上述电极和上述外部的上述多个连接引线、连接到任何一个上述连接引线上且延伸到树脂密封区域之外的多个连接部分、已连接到上述连接部分和上述树脂密封区域之外上的至少一个电镀引线和该电镀引线所连接的电镀电极等全部变成电气导通状态；通过上述电镀电极对上述导通图形施行电镀的工序；冲切上述各个连接部分的至少一部分的工序。这样一来，在树脂密封的区域上就将形成接合到半导体芯片的电极和外部上的连接引线。因此，就可以使封装尺寸接近于芯片尺寸。此外，由于用薄膜载带制造半导体器件，故处理将会变得容易。在对连接引线施行电镀的时候，可以使用电镀引线和电镀电极。就是说，连接引线、连接部分、电镀引线和电镀电极已全部变成为导通状态，所以，可以通过电镀电极对连接引线施行电镀。此外，如果除去要进行电镀的部分之外都用抗蚀剂覆盖起来，则可以节省在电镀处理中所用的电镀材料。这里所说的要进行电镀的部分，具体地说，相当于连接引线或接合区(land)等。在这里，连接部分的至少一部分在树脂密封的区域内被冲切。因此，当进行树脂密封时，因该冲切而形成的端面也将被树脂覆盖。这样，就可以防止来自该端面的连接引线的腐蚀，进而可以防止半导体芯片的电极的腐蚀。于是，成为即便是在高湿度环境中也具有优秀的封装性能，改善了可靠性。此外，在树脂密封区域的外侧，由于进行薄膜载带的最终性的成型，故在作为最终制品的半导体器件的外周上也不会有树脂溢出来。此外，还可以保持外形的直线性。多个上述连接部分，可以采用一起冲切的办法来减少工序。本专利技术的薄膜载带的制造方法，包括在薄膜上形成导通图形的工序，该导通图形使在要密封的预定的区域内形成并将接合到半导体芯片的电极和外部电极上的多个连接引线，连接到该连接引线上并一直形成到上述密封区域之外的至少一个的电镀引线和该电镀引线所连接的电镀电极等全部都变成导通状态。或者，本专利技术的薄膜载带的制造方法，包括下述工序在薄膜上形成引线孔的工序；在含有上述薄膜的上述引线孔的区域上边设置金属箔的工序；形成包括上述金属箔构成的焊盘部分、连接引线、电镀引线、电镀电极和连接部分的导电图形的工序；通过上述电镀电极对上述导电图形施行电镀处理的工序；对上述连接部分进行加工形成布线图形的工序。其中，上述形成布线图形的工序也可以用冲切上述连接部分的办法进行。此外，多个上述连接部分，可以采用一起冲切的办法来减少工序。或者，上述冲切还可以与每一连接部分对应起来进行。各个连接部分也可以用圆形的孔来冲切。或者，也可以使上述圆形孔成为椭圆形状，上述椭圆形状的长轴方向朝向与形成半导体器件的外周本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用了具有多个连接引线，在各个连接引线中，一方的端部被用作与半导体芯片的电极之间的连接，另一方的端部被用作与外部之间的连接的柔软基板的树脂密封型的半导体器件的制造方法， 包括有下述工序： 第１工序，用于进行配置，使相当于薄膜载带的上述柔软基板的部位位于上述半导体芯片的上方，且使上述连接引线的上述一方和上述另一方位于上述半导体芯片的区域内； 第２工序，用于在上述第１工序之后，使上述连接引线的上述一方的端部与上述半导体芯片的电极进行接合； 第３工序，用于在上述第２工序之后，对包括上述已接合的电极在内的上述半导体芯片的有源面和包括上述连接引线的上述一方的端部在内的区域进行树脂密封； 第４工序，用于在上述第３工序之后，从上述薄膜载带上切下单个芯片。

【技术特征摘要】
JP 1996-10-17 297531/961.一种应用了具有多个连接引线，在各个连接引线中，一方的端部被用作与半导体芯片的电极之间的连接，另一方的端部被用作与外部之间的连接的柔软基板的树脂密封型的半导体器件的制造方法，包括有下述工序第1工序，用于进行配置，使相当于薄膜载带的上述柔软基板的部位位于上述半导体芯片的上方，且使上述连接引线的上述一方和上述另一方位于上述半导体芯片的区域内；第2工序，用于在上述第1工序之后，使上述连接引线的上述一方的端部与上述半导体芯片的电极进行接合；第3工序，用于在上述第2工序之后，对包括上述已接合的电极在内的上述半导体芯片的有源面和包括上述连接引线的上述一方的端部在内的区域进行树脂密封；第4工序，用于在上述第3工序之后，从上述薄膜载带上切下单个芯片。2.权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是上述第4工序，在上述树脂密封后的区域的外侧进行。3.权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是在上述第1工序之前，包括形成上述薄膜载带的工序。4.权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征是形成上述薄膜载带的工序包括下述工序在薄膜上形成导通图形的工序，该导通图形使形成在用于进行树脂密封的区域内且电连上述电极和上述外部的上述多个连接引线，连接到任何一个上述连接引线上且延伸到树脂密封区域之外的多个连接部分，已连接上述连接部分和上述树脂密封区域之外上的至少一个电镀引线，该电镀引线所连接的电镀电极等全部已变成电气导通状态；通过上述电镀电极对上述导通图形施行电镀的工序；冲切上述每一个连接部分的至少一部分的工序。5.权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征是一起冲切多个上述连接部分。6.一种薄膜载带的制造方法，在薄膜上形成导通图形，该导通图形使所具有的在要密封的预定的区域内形成并将接合到半导体芯片的电极和外部电极上的多个连接引线，连接到该连接引线上并一直形成到上述密封区域之外的至少一个电镀引线和该电镀引线所连接的电镀电极等全部都变成导通状态。7.一种薄膜载带的制造方法，包括下述工序在薄膜上形成引线孔的工序；在含有上述薄膜的上述引线孔的区域上设置金属箔的工序；形成由上述金属箔构成的焊盘部分、连接引线、电镀引线、电镀电极和连接部分所构成的导电图形的工序；通过上述电镀电极对上述导电图形施行电镀处理的工序；对上述连接部分进行加工形成布线图形的工序。8.权利要求7所述的薄膜载带的制造方法，其特征是上述形成布线图形的工序用冲切上述连接部分的办法进行。9.权利要求8所述的薄膜载带的制造方法，其特征是一起冲切多个上述连接部分。10.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]