薄膜载带和半导体装置及其制造方法和电路板制造方法及图纸

本发明专利技术为一种用薄膜载带制造，封装尺寸和芯片尺寸接近的半导体装置，能够在良好状态下注入密封树脂的半导体装置及其制造方法。薄膜载带３２具有多条连接引线（２４）、对连接引线（２４）中几条相连接的连接部分和交叉部分进行冲孔形成的孔（２９、３１）和矩形孔（１１～１５），通过矩形孔（１１、１５）注入树脂，矩形孔（１２、１４）防止树脂扩展，而孔（２９、３１）将树脂中空气去掉。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法、电路板及薄膜载带，特别是有关封装尺寸接近于芯片尺寸的薄膜载带和半导体装置及其制造方法和电路板。为了对半导体装置高密度安装，采用裸芯片安装是最为理想的。但是在裸芯片状态下，质量保证和处理却很困难。为此开发了CSP(chipscale／size package芯片规模／尺寸封装)，使封装裸芯片的封装尺寸接近于芯片尺寸的封装。在各种方式下所开发的CSP型半导体装置中的一种方式是在半导体芯片的有源面上设置挠性基板，在该挠性基板上形成多个外部电极。这种半导体装置由于外部电极设置在半导体芯片的区域内，所以不存在诸如QFP(Quad Flat Package扁平封装)和TCP(Tape Carrier Package带载封装)等从封装主体的侧面引出的‘外引线’。众所周知，在采用挠性基板的CSP型半导体装置中，如国际公开的WO 95／08856号公报所记载的那样，在半导体芯片的有源面和挠性基板之间注入树脂，以求吸收热应力。但是在注入树脂时却有种种困难。例如，树脂由于注入到半导体芯片和挠性基板之间，即注入到其他构件间很狭的区域，所以容易留下空气(气泡)。这样，在高温潮湿的情况下会因空气(气泡)膨胀而产生裂缝。或者很难阻止树脂从半导体芯片和挠性基板之间流出。本专利技术就是用于解决上述课题，其目的在于提供一种薄膜载带和半导体装置，其制造方法以及电路板，使之在半导体芯片和挠性基板之间在良好的状态下容易注入树脂。(1)本专利技术的半导体装置的制造方法，包括将具有多条连接引线和多个孔的挠性基板，形成间隔，并配置在半导体芯片上方的工序以及至少从上述孔中的一个孔向上述间隔边注入树脂，并且至少从上述其余孔中的一个孔去掉空气的工序。倘采用本专利技术，在半导体芯片和挠性基板之间注入树脂进行树脂密封时，孔变成了空气去掉孔，树脂中很难留下空气。这样就可以得到在高温潮湿情况下提高了可靠性的半导体装置。(2)在上述制造方法中，也可以制作成包括上述孔位于上述半导体芯片大约中心位置的中心孔；从上述中心孔注入上述树脂。(3)在上述制造方法中也可以包括上述挠性基板比上述半导体芯片还要大；上述孔包括在上述半导体芯片的电极上方形成的键合孔；通过上述键合孔使上述连接引线和上述电极相连接的工序；从上述键合孔向包括上述已连接的电极的上述半导体芯片的有源面上注入上述树脂的工序。(4)在上述制造方法中，从上述中心孔注入上述树脂和从上述键合孔注入上述树脂在时间上也可以错开运行。(5)在上述制造方法中，上述孔中包括上述半导体芯片的端部上方形成的树脂停止孔；上述树脂停止孔用于阻止已注入到上述间隔的树脂扩展开来。(6)在上述制造方法中上述树脂停止孔形成矩形，内边缘的一边位于上述半导体芯片的外边缘的外侧，而上述一边相对的另一边也可以位于上述半导体芯片的上述外边缘的内侧。(7)在上述制造方法中也可以包括上述树脂停止孔在上述半导体芯片电极的上方形成，通过该树脂停止孔使上述连接引线和上述电极连接。(8)在上述制造方法中也可以包括薄膜载带的一部分作为上述挠性基板来使用；注入上述树脂后，从上述薄膜载带切断成各个片的工序。(9)上述制造方法中也可以包括形成上述薄膜载带的工序。(10)上述制造方法中形成上述薄膜载带的工序也可以包括在薄膜上形成应树脂密封的区域内形成并在多个连接部分连接的上述连接引线、在上述树脂密封的区域外所形成的电镀引线；以及与该电镀引线所延伸的各上述连接引线相交叉点处所连接的分组引线，使其全部成为通电状态的导电图形的工序；通过电镀引线在上述导电图形上进行电镀的工序；对上述连接部分和上述交叉部分进行冲孔的工序。(11)上述制造方法中也可以对，上述连接部分和上述交叉部分一同进行冲孔。(12)上述制造方法中也可以对，上述连接部分和上述交叉部分一个一个进行冲孔。(13)本专利技术的薄膜载带制造方法包括在薄膜上形成在应该树脂密封的区域内所形成并在多个连接部分连接的连接引线、上述树脂密封的区域外所形成的电镀引线、以及从该电镀引线延伸的各条上述连接引线在交叉部分所连接的分组引线，使其全部成为通电状态的导电图形的工序；通过上述电镀引线对上述导电图形进行电镀工序以及对上述连接部分和上述交叉部分进行冲孔的工序。根据本专利技术，在半导体芯片和薄膜载带之间注入树脂，进行树脂密封时，孔变成了空气去掉，因此树脂中很难留下空气。这样就能够制造出在高温潮湿上提高了可靠性的半导体装置。(14)上述制造方法也可以包括在上述薄膜上形成大约位于上述半导体芯片的中心位置的中心孔的工序。(15)在上述制造方法也可以包括在上述薄膜上形成位于上述半导体芯片电极上方的键合孔工序。(16)上述制造方法也可以包括在上述薄膜上形成位于上述半导体芯片端部上方的树脂停止孔工序。(17)在上述制造方法中上述连接部分和上述交叉部分也可以一同进行冲孔。(18)在上述制造方法中上述连接部分和上述交叉部分也可以一个一个进行冲孔。(19)本专利技术的半导体装置包括具有多个电极的半导体芯片、位于上述半导体芯片之上而与上述半导体芯片隔开一定距离并相互重叠的挠性基板、上述挠性基板上形成且连接上述电极的焊盘、以及位于上述半导体芯片和上述挠性基板之间，密封具有上述半导体芯片的上述电极一面的树脂，并且，在上述挠性基板上形成多个孔。根据本专利技术由于是在挠性基板上形成了孔，所以即使树脂中有空气，在回流焊接工序中也可以将水蒸汽从孔中排出。(20)本专利技术的电路板上安装有上述半导体装置，并通过该半导体装置的上述焊盘与其电气连接。(21)本专利技术在树脂密封型半导体装置上采用的薄膜载带中具有在树脂应密封的区域内形成外部电极的焊盘；配置在树脂应密封的区域内，并与各个上述外部电极及半导体芯片各电极相连接的多条连接引线；在树脂密封的区域外所形成的至少一个电镀引线；以及从上述电镀引线面向上述应树脂密封的区域内所形成的分组引线。任何一个上述连接引线相互之间的连接部分及上述分组引线和任何一个上述连接引线的交叉部分形成冲孔。(22)上述薄膜载带也可以具有大约与半导体芯片的中心对应的区域上形成的中心孔。(23)上述薄膜载带也可以具有在对应于上述半导体芯片电极上方的区域形成的键合孔。(24)上述薄膜载带也可以具有在对应于上述半导体芯片端部的上方区域形成树脂停止孔。附图说明图1为说明本实施例的半导体装置制造方法；图2为说明本实施例的半导体装置制造方法；图3为说明本实施例的半导体装置制造方法；图4A和图4B为说明本实施例的半导体装置制造方法；图5A和图5B表示本实施例的变形例子；图6表示应用本实施例所制造的半导体装置的安装电路板。下面参照附图对本专利技术的最佳实施例进行说明。图1～图4B表示本实施例的半导体装置的制造工序。详细来说，图1为在薄膜上形成规定导电图形成工序；图2为对导电图形的一部分进行冲孔，形成所期望的电路，即布线图形的工序；图3为在半导体芯片上配置薄膜进行树脂密封的步骤；而图4A和图4B表示树脂密封后的状态。在图1～图3中，只举出一个电路部分(最后相当于一个布线图形的地方)来表示的，实际上在长条形的薄膜上要连续形成相同的电路。如图1所示，在薄膜10上的5个地方形成矩形孔11～15，并形成导电图形20。这里，所说的薄膜10可以采用如聚酰亚胺、聚酯、玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括： 将具有多条连接引线和多个孔的挠性基板，形成间隔配置在半导体芯片上方的工序；以及 从上述孔中的至少一个孔向上述间隔注入树脂，而从其余孔中的至少一个孔去掉空气的工序。

【技术特征摘要】
JP 1996-10-17 297531/961．一种半导体装置的制造方法，包括将具有多条连接引线和多个孔的挠性基板，形成间隔配置在半导体芯片上方的工序；以及从上述孔中的至少一个孔向上述间隔注入树脂，而从其余孔中的至少一个孔去掉空气的工序。2．根据权利要求1所记载的半导体装置的制造方法，其中上述孔包括大约位于上述半导体芯片中心的中心孔，并且从上述中心孔注入上述树脂。3．根据权利要求2所记载的半导体装置的制造方法，其中上述挠性基板要比上述半导体芯片要大，上述的孔包括在上述半导体芯片电极的上方形成的键合孔，并包括通过上述键合孔，使上述连接引线和上述电极相接合的工序，以及从上述键合孔向包括上述接合的电极的上述半导体芯片的有源面上注入上述树脂的工序。4．根据权利要求3所记载的半导体装置的制造方法，其中从上述中心孔注入上述树脂和从上述键合孔注入上述树脂，在时间上可以错开进行。5．根据权利要求2所记载的半导体装置的制造方法，其中上述的孔包括在上述半导体芯片端部的上方形成的树脂停止孔，上述树脂停止孔用于阻止注入到上述间隔的树脂的扩展。6．根据权利要求5所记载的半导体装置的制造方法，其中上述树脂停止孔为矩形，内边缘一边位于上述半导体芯片的外边缘的外侧，与上述一边相对的另一边则位于上述半导体芯片的上述外边缘的内侧。7．根据权利要求6所记载的半导体装置的制造方法，其中上述树脂停止孔形成在上述半导体芯片的电极上方，通过该树脂停止孔使上述连接引线和上述电极进行接合。8．根据权利要求1到权利要求7任一项记载的半导体装置的制造方法，其中薄膜载带的一部分用作上述挠性基板，以及包括在上述树脂注入之后，将上述薄膜载带切开成为单片工序。9．根据权利要求8所记载的半导体装置的制造方法，其中包括形成上述薄膜载带工序。10．根据权利要求9所记载的半导体装置的制造方法，其中形成上述薄膜载带的步骤包括在薄膜上形成应进行树脂密封的区域内形成并连接到多个连接部分的上述连接引线、在上述树脂密封的区域外形成的电镀引线、从该电镀引线延伸设置的与任一个上述连接引线在交叉部分连接的分组引线，使其全部为电气导通状态的导电图形工序；通过上述电镀引线，对上述导电图形施行电镀的工序；以及上述连接部分和上述交叉部分的冲孔工序。11．根据权利要求10所记载的半导体装置的制造方法，其中对上述连接部分和上述交叉部分是同时进行冲孔的。12．根据权利要求10所记...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]