在硅化物膜上进行化学汽相淀积的方法和设备技术

一种对在集成电路的栅极平面互连上化学汽相淀积硅化物进行改善的方法和设备，以便减少硅化物的异常氧化和成核。根据本发明专利技术的一个方案，在集成电路中形成栅极平面互连的方法，包括形成衬底，在衬底上淀积栅氧化层，在栅氧化层上淀积多晶硅层。在第一淀积温度下采用第一化学汽相淀积工艺，在多晶硅层上形成第一硅化物层，在第二淀积温度下采用第二化学汽相淀积工艺，在第一硅化物层上形成第二硅化物层。在一个实施例中，第二硅化物层直接形成在第一硅化物层上。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及在集成电路中制备栅极的方法和设备。更具体地讲，本专利技术涉及在高温处理过程中防止栅极上硅化物膜的异常氧化以及控制硅化物膜中氟的掺入的方法和设备。随着对集成电路、例如动态随机存取存储器(DRAM)集成电路的需求的增加，有效地制造集成电路的需求也日益增长。按对集成工艺的集成度的保护可以贯穿于制造工艺的方式制造集成电路提高了集成电路的整体生产率。附图说明图1是传统的栅极结构的示意图。栅极结构104通常作为集成电路例如DRAM集成电路的一部分而被包括，并包括衬底108。衬底108一般由硅制成，还可以包括与栅极结构104是其一部分的集成电路的形成相关的各种其它层。这些层常常包括氧化层和导电层。栅介电层112形成于衬底108上，一般是位于衬底108和多晶硅层116之间的氧化膜。通常掺杂的多晶硅层116形成于栅氧化层112上，用做硅化物膜120和栅氧化层112之间的导电阻挡层。掺杂时，通常采用例如硼、磷或砷的掺杂剂对多晶硅层116掺杂。硅化物膜120电阻通常较低，可以由硅化钨(WSix)硅化钴(CoSix)或硅化钛(TiSix)形成。硅化物膜120通常由硅化钨形成，这是因为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在集成电路中形成栅极平面互连的方法，包括：形成衬底；在衬底上淀积栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；在第一淀积温度下，采用第一化学汽相淀积工艺，在多晶硅层上形成第一硅化物层；在第二淀积温度下，采用第二化学汽相淀积工艺 ，在第一硅化物层上形成第二硅化物层。

【技术特征摘要】
US 1997-12-19 9942741．一种在集成电路中形成栅极平面互连的方法，包括形成衬底；在衬底上淀积栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；在第一淀积温度下，采用第一化学汽相淀积工艺，在多晶硅层上形成第一硅化物层；在第二淀积温度下，采用第二化学汽相淀积工艺，在第一硅化物层上形成第二硅化物层。2．根据权利要求1的形成栅极平面互连的方法，其中，第二硅化物层直接形成在第一硅化物层上。3．根据权利要求2的形成栅极平面互连的方法，其中，形成第一硅化物层包括提供硅烷作为第一源气体和提供六氟化钨作为第一反应气体；形成第二硅化物层包括提供二氯硅烷作为第二源气体和提供六氟化钨作为第二反应气体。4．根据权利要求3的形成栅极平面互连的方法，其中，第一和第二硅化物层是钨基的，第一和第二反应气体包括六氟化钨。5．根据权利要求1的形成栅极平面互连的方法，其中，淀积第一硅化物层的第一淀积温度在约350℃～约550℃的范围内。6．根据权利要求5的形成栅极平面互连的方法，其中，淀积第二硅化物层的第二淀积温度至少高于第一淀积温度。7．根据权利要求6的形成栅极平面互连的方法，其中，淀积第二硅化物层的第二淀积温度在约500℃～约700℃的范围内。8．根据权利要求1的形成栅极平面互连的方法，还包括对多晶硅层掺杂。9．根据权利要求1的形成栅极平面互连的方法，其中，栅极平面互连形成在动态随机存取存储器中。10．一种集成电路中的栅极平面互连，包括衬底；设置在衬底上的栅氧化层；设置在栅氧化层上的多晶硅层；设置在多晶硅层上的第一硅化物层；设置在第一硅化物层上的第二硅化物层，其中，第一硅化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯廷德姆，雷德希卡斯里瓦尼桑，斯蒂芬K罗，
申请(专利权)人：西门子公司，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]