温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种对在集成电路的栅极平面互连上化学汽相淀积硅化物进行改善的方法和设备，以便减少硅化物的异常氧化和成核。根据本发明的一个方案，在集成电路中形成栅极平面互连的方法，包括形成衬底，在衬底上淀积栅氧化层，在栅氧化层上淀积多晶硅层。在第一淀积温度下...
该专利属于西门子公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司;国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。