包含基底和光聚合物薄膜的复合件制造技术

本发明专利技术涉及包含至少在局部可分离地互相接合的基底和光聚合物薄膜的复合件，其中所述基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯且所述光聚合物薄膜包含三维交联的聚氨酯基质聚合物、书写单体和光引发剂，其特征在于所述基底在式(I)的染料的0.5体积%乙酸丁酯溶液中在23℃下培养7天后式(I)具有L值L1并在所述培养前具有L值L0，其中通过CieLAB测量法测定L值，且L值L1和L0之差符合公式(II)L1-L0 < -0.25  (公式II)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及包含至少在局部可分离地互相接合的基底和光聚合物薄膜的复合件，所述基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯且所述光聚合物薄膜包含三维交联的聚氨酯基质聚合物、书写单体和光引发剂。本专利技术的另一些主题是制造本专利技术的复合件的方法、制造分离的光聚合物薄膜的方法、可通过该方法获得的分离的光聚合物薄膜以及集成光聚合物薄膜的方法。例如从WO2011/067057中获知上文提及类型的复合件。其中描述了提供包含三维交联的聚氨酯基质聚合物、书写单体和光引发剂的光聚合物制剂。然后将这种制剂施涂到基底上并固化，并形成光聚合物薄膜。所提出的基底尤其包括聚对苯二甲酸乙二醇酯箔。但是，已知复合件的一个缺点是基底与光聚合物薄膜之间的极强粘附。因此只有使用高剥离力才能将光聚合物薄膜与基底分开，这在许多情况下可能破坏光聚合物薄膜。但是，从基底上非破坏性分离经曝光的光聚合物薄膜尤其对于将其集成到如安全文件或显示装置之类的器件中而言是至关重要的。对此问题的一个理论解决方案是提高光聚合物薄膜的厚度，因为这样的薄膜可更好地承受高剥离力。但是，对大多数用途而言，期望或需要具有尽可能低层厚度的光聚合物薄膜，以致这在绝大多数情况下不是可行途径。或者，可尝试降低基底与光聚合物薄膜之间的粘附。为此可使用具有低表面张力的基底。但是，在此出现新的问题，因为只有通过在光聚合物制剂中加入较大量的剧烈降低表面张力的添加剂才能制造具有足够的表面性质（Beschaffenheit）的光聚合物薄膜。但是，当使用相应量的这种添加剂时，在许多情况下就造成该制剂的浑浊。在最糟糕的情况下，甚至发生组分的分离。相反，如果使用较少量的该添加剂，该光聚合物制剂仅能部分地润湿基底。结果是又产生不完全覆盖基底的光聚合物薄膜。但是，根据基底的表面张力，即使使用大量的表面添加剂，也不再能获得所需涂层厚度的连续涂层。因此，借助这种制剂无法获得可用的光聚合物薄膜。因此，本专利技术的一个目的是提供包含基底和光聚合物薄膜的复合件，其中所述基底和所述光聚合物薄膜可容易地互相分离并尤其不破坏该光聚合物薄膜。同时，用于制造该光聚合物薄膜的光聚合物制剂中的表面添加剂含量应为不高于1.5重量%，优选不高于1.0重量%，以避免对光聚合物薄膜的光学品质的不良影响。通过使用如下基底实现这一目的，该基底在式(I)的染料的0.5体积%乙酸丁酯溶液中在23℃下培养7天后具有L值L1并在该培养前具有L值L0，式(I)，其中通过CieLAB测量法测定L值且其中L值L1和L0之差符合公式(II)L1-L0<-0.25(公式II)。因此已经令人惊讶地发现，由光聚合物薄膜和具有符合公式(II)的L值的聚对苯二甲酸乙二醇酯基底制成的复合件提供易分离性，而不需要使用表面添加剂对用于制造该光聚合物薄膜的制剂进行化学改性。可通过使例如以硝酸盐形式存在的碱性蓝3与双(2-乙基己基)磺基琥珀酸钠反应，制备式(I)的染料碱性蓝3双(2-乙基己基)磺基琥珀酸盐。在此发生阴离子的交换，并可分离碱性蓝3双(2-乙基己基)磺基琥珀酸盐。该反应可例如在水中或在醇如甲醇中或在它们的混合物中进行。但是，有利地，其在水和乙酸丁酯的双相混合物中进行。在这种情况下，所需染料碱性蓝3双(2-乙基己基)磺基琥珀酸盐进入有机相并可视需要从其中分离。但是，更有利的是，在除去溶解的水之后直接使用碱性蓝3双(2-乙基己基)磺基琥珀酸盐在乙酸丁酯中的溶液。根据本专利技术的第一个优选实施方案设定，L值L1和L0之差符合公式(III)L1-L0<-0.30(公式III)。同样优选的是，该基底是聚对苯二甲酸乙二醇酯箔，特别是具有10微米至375微米，优选19微米至175微米，更优选30微米至100微米的厚度的箔。该光聚合物薄膜可特别地具有1微米至100微米，优选5微米至50微米，更优选10微米至28微米的厚度。在本专利技术的一个扩展方案中设定，用0.05至0.75N/10mm，优选0.08至0.5N/10mm，更优选0.1至0.25N/10mm的剥离力可将光聚合物薄膜与基底分离，其中根据DIN标准ENISO11339测量剥离力。在本专利技术的另一个优选的实施方案中，该基底可具有>27mN/m，优选≥28mN/m且≤42.5mN/m，更优选≥30mN/m且≤40mN/m的表面张力。在此根据实验部分中描述的方法测量表面张力。如果该基底具有Rz≤600nm，优选Rz≤400nm，更优选Rz≤300nm的表面粗糙度，也是有利的。根据实验部分中描述的方法测量表面张力。如果该基底具有光学透明的设计，也是优选的。在该光聚合物薄膜中，可特别地已曝光并入（einbelichten）全息图。这优选是体积全息图。这可以是反射全息图、透射全息图或边缘照明全息图。可使用单色激光进行所述曝光并入，其中借助分束器和激光束展宽产生干扰场。在此，该激光可产生各种颜色（光频率），其中优选可使用蓝色、红色、绿色或黄色发射波长。也可以同时或相继使用不同颜色的激光。由此特别可产生两色或多色反射全息图。也可以将一个或多个全息图在相同位置或彼此相邻地曝光并入光聚合物薄膜中。如果在相同位置进行曝光，可曝光并入不同图像内容。也可以曝光并入一个物体在略微变化的重构角度下的不同视图，以形成立体图。同样可曝光并入隐藏全息图和缩微文本。在透射全息图的情况下，同样可曝光并入多个光导功能（lichtleitend）和/或针对不同光谱范围的光导功能。该三维交联的聚氨酯基质聚合物特别可通过至少一种多异氰酸酯组分a)和至少一种异氰酸酯反应性组分b)的反应获得。多异氰酸酯组分a)包含至少一种具有至少两个NCO基团的有机化合物。这些有机化合物特别是单体二-和三异氰酸酯、多异氰酸酯和/或NCO-官能预聚物。多异氰酸酯组分a)还可包含或由单体二-和三异氰酸酯、多异氰酸酯和/或NCO-官能预聚物的混合物构成。所用的单体二-和三异氰酸酯可以是本身为技术人员公知的所有化合物或这些化合物的混合物。这些化合物可具有芳族、芳脂族、脂族或脂环族结构。所述单体二-和三异氰酸酯还可包含次要量的单异氰酸酯，即具有一个NCO基团的有机化合物。合适的单体二-和三异氰酸酯的实例是1,4-丁二异氰酸酯、1,5-戊二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯（六亚甲基二异氰酸酯，HDI）、2,2,4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯和/或2,4,4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯（TMDI）、异佛尔酮二异氰酸酯（IPDI）、1,8-二异氰酸根合-4-(异氰酸根合甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
包含至少在局部可分离地互相接合的基底和光聚合物薄膜的复合件，其中所述基底包含聚对苯二甲酸乙二醇酯且所述光聚合物薄膜包含三维交联的聚氨酯基质聚合物、书写单体和光引发剂，其特征在于所述基底在式(I)的染料的0.5体积%乙酸丁酯溶液中在23℃下培养7天后式(I)，具有L值L1并在所述培养前具有L值L0，其中通过CieLAB测量法测定L值，且L值L1和L0之差符合公式(II)L1‑L0 < ‑0.25    (公式II)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.30 EP 13190911.11.包含至少在局部可分离地互相接合的基底和光聚合物薄膜的复合件，其中所述基底
包含聚对苯二甲酸乙二醇酯且所述光聚合物薄膜包含三维交联的聚氨酯基质聚合物、书写
单体和光引发剂，其特征在于所述基底在式(I)的染料的0.5体积%乙酸丁酯溶液中在23℃
下培养7天后
式(I)，
具有L值L1并在所述培养前具有L值L0，其中通过CieLAB测量法测定L值，且L值L1和L0
之差符合公式(II)
L1-L0<-0.25(公式II)。
2.根据权利要求1的复合件，其特征在于L值L1和L0之差符合公式(III)
L1-L0<-0.30(公式III)。
3.根据权利要求1或2任一项的复合件，其特征在于所述基底是箔，特别是具有10微米
至375微米，优选19微米至175微米，更优选30微米至100微米的厚度的箔。
4.根据权利要求1至3任一项的复合件，其特征在于所述光聚合物薄膜具有5微米至100
微米，优选5微米至50微米，更优选10微米至28微米的厚度。
5.根据权利要求1至4任一项的复合件，其特征在于用0.05至0.75N/10mm，优选0.08
至0.5N/10mm，更优选0.1至0.25N/10mm的剥离力可将所述光聚合物薄膜与所述基底分
离，其中根据DIN标准ENISO11339测量所述剥离力。
6.根据权利要求1至5任一项的复合件，其特征在于所述基底具有>27mN/m，优选≥
28mN/m且≤42.5mN/m，更优选≥30mN/m且≤40mN/m的表面张力。
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【专利技术属性】
技术研发人员：MS魏泽，H贝内特，FK布鲁德，T罗勒，D赫内尔，T法伊克，
申请(专利权)人：科思创德国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE