The invention provides a new polymer for semiconductor and display manufacturing process, comprising the composition for resist underlayer film semiconductor and display manufacturing process of polymer, the composition and method of manufacturing a semiconductor device, more specifically, the disclosed new polymer also has an etching selectivity and optimized planarization properties and excellent the heat resistance, the resist underlayer film composition comprising the polymer can be used as a multilayer semiconductor lithography process using the hard mask.
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用根据35U.S.C.§119，本申请要求于2015年7月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0099736号的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。
以下公开内容涉及用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜(resistunderlayerfilm)组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
技术介绍
由于图案的尺寸随着半导体装置的小型化和高度集成而迅速减小，光致抗蚀剂图案的坍塌现象已经作为工艺中最大的难点而出现，因此，光致抗蚀剂膜的厚度不可避免地要逐渐变薄以获得高分辨率图像。然而，由于很难通过使用更薄的光致抗蚀剂形成的图案以足够的蚀刻选择性来蚀刻待蚀刻的层，因此，在待蚀刻的层和光致抗蚀剂之间引入具有强耐蚀刻性的无机膜或有机膜。该无机膜或有机膜称为硬掩膜，硬掩膜法是指使用光致抗蚀剂图案蚀刻硬掩膜从而进行图案...
【技术保护点】
用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其包含：由以下化学式1表示的重复单元：[化学式1]在化学式1中，Ar为(C10‑C100)亚芳基，其中Ar的亚芳基还可含有羰基、氨基、氧、硫，并可进一步地被选自(C1‑C20)烷基、(C3‑C20)环烷基、(C2‑C20)烯基、(C3‑C20)环烯基、(C2‑C20)炔基、4‑元至10‑元杂环烷基、(C6‑C20)芳基、(C3‑C20)杂芳基、卤素、氰基、羟基、(C1‑C20)烷氧基、(C3‑C20)环烷氧基、(C6‑C20)芳氧基、(C1‑C20)烷硫基、(C3‑C20)环烷硫基、(C6‑C20)芳硫基、(C1‑C20)烷基羰基、(C2‑C2...
【技术特征摘要】
2015.07.14 KR 10-2015-00997361.用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其包含：由以下化学式1表示的重复单元：[化学式1]在化学式1中，Ar为(C10-C100)亚芳基，其中Ar的亚芳基还可含有羰基、氨基、氧、硫，并可进一步地被选自(C1-C20)烷基、(C3-C20)环烷基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烯基、(C2-C20)炔基、4-元至10-元杂环烷基、(C6-C20)芳基、(C3-C20)杂芳基、卤素、氰基、羟基、(C1-C20)烷氧基、(C3-C20)环烷氧基、(C6-C20)芳氧基、(C1-C20)烷硫基、(C3-C20)环烷硫基、(C6-C20)芳硫基、(C1-C20)烷基羰基、(C2-C20)烯基羰基、(C6-C20)芳基羰基、(C3-C20)环烷基羰基和(C3-C20)环烯基羰基中的一个或多个取代基取代；Ar1和Ar2各自独立地为(C6-C30)亚芳基；L为Ar3和Ar4各自独立地为(C6-C30)亚芳基；Ar5为三价的(C6-C30)亚芳基；Ar6为(C6-C30)芳基；Ar3、Ar4和Ar5的亚芳基以及Ar6的芳基可进一步地被选自(C1-C10)烷基、(C3-C10)环烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C10)烷氧基、(C6-C20)芳氧基、(C1-C10)烷基(C6-C20)芳基和(C6-C20)芳基(C1-C10)烷基中的一个或多个取代基取代；R为氢、(C1-C20)烷基、(C3-C10)环烷基或(C6-C20)芳基，并且R的烷基、环烷基或芳基可进一步地被选自(C1-C10)烷基、(C3-C10)环烷基和(C6-C20)芳基中的一个或多个取代基取代；w为1-5的整数；u为0或1的整数；以及杂芳基和杂环烷基包含选自B、N、O、S、P(＝O)、Si、Se和P中的一个或多个杂原子。2.根据权利要求1所述的用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其中所述聚合物包含由以下化学式2、化学式3或化学式4表示的重复单元：[化学式2][化学式3][化学式4]在化学式2、化学式3或化学式4中，Ar、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、R、w和u与权利要求1的上述化学式1中所定义的相同。3.根据权利要求1所述的用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其中所述聚合物的重均分子量为500以上。4.根据权利要求2所述的用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其中*Ar*选自以下结构：Z1-Z4各自独立地为C＝O、NRa、O、S或CRbRc；Ra-Rc各自独立地为氢、(C1-C10)烷基、卤素、(C3-C10)环烷基、(C6-C20)芳基，并且所述烷基、环烷基和芳基可进一步地被选自卤素、(C1-C10)烷基、卤代(C1-C10)烷基、(C3-C10)环烷基和(C6-C20)芳基中的一个或多个取代基取代。5.根据权利要求2所述的用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，其中Ar3和Ar4各自独立地为亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚芴基、三亚苯基、亚蒽基、亚芘基、亚基或亚并四苯基；Ar5为三价的亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚芴基、三亚苯基、亚蒽基、亚芘基、亚基或亚并四苯基；Ar6为苯基、萘基、联苯基、芴基、三苯基、蒽基、芘基、基或并四苯基；R为氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、蒽基、三苯基烯基、芘基、基、并四苯基、苄基、萘甲基、蒽甲基、芘甲基、三苯甲基或甲苯基；w为1或2的整数；以及u为0或1的整数。6.抗蚀剂下层膜组合物，其包含：用于制备抗蚀剂下层膜的聚合物，所述聚合物包含由以下化学式1表示的重复单元以及有机溶剂：[化学式1]在化学式1中，Ar为(C10-C100)亚芳基，其中Ar的亚芳基还可含有羰基、氨基、氧、硫，并可进一步地被选自(C1-C20)烷基、(C3-C20)环烷基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烯基、(C2-C20)炔基、4-元至10-元杂环烷基、(C6-C20)芳基、(C3-C20)杂芳基、卤素、氰基、羟基、(C1-C20)烷氧基、(C3-C20)环烷氧基、(C6-C20)芳氧基、(C1-C20)烷硫基、(C3-C20)环烷硫基、(C6-C20)芳硫基...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑旼镐，沈由那，李建杓，咸珍守，黄秀英，
申请(专利权)人：SK新技术株式会社，SK综合化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。