固化性组合物、半导体装置以及含酯键的有机硅化合物制造方法及图纸

技术编号:13781074 阅读:114 留言:0更新日期:2016-10-04 17:05
本发明专利技术是一种固化性组合物,其含有:(A)含酯键的有机硅化合物,其由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳‑碳双键;(B)硅化合物,其是1分子中具有2个以上键合在硅原子上的氢原子;以及,(C)硅氢化反应催化剂。由此,本发明专利技术提供一种固化性组合物,其能够形成一种透气性低且抗裂性及透光性优异的固化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种固化性组合物、利用该固化性组合物覆盖半导体元件而成的半导体装置以及适用于上述固化性组合物的含酯键的有机硅化合物。
技术介绍
以往,作为光学器件和光学零件用材料、特别是发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)元件的密封材料,通常使用环氧树脂。并且,关于硅酮树脂,虽然在尝试将其用作LED元件的模制构件等(参照专利文献1、专利文献2)、或将其用作彩色滤光片材料(参照专利文献3),但实际使用案例较少。近年来,白色LED备受关注,其中产生了以下问题:如以往未被当成问题的环氧密封材料因紫外线等所致的黄变、或发热量伴随小型化而增加导致的破裂等问题,应对所述问题成为当务之急。作为这些问题的应对措施,正在研究使用一种在分子中有大量苯基的硅酮树脂固化物。但是,目前的LED所使用的基板多使用银基板,银有时会被存在于空气中的硫化合物腐蚀,而导致LED的发光效率下降。即便是上述具有苯基的硅酮树脂固化物,虽然此现象会在某种程度上得到抑制,但还不及通常的环氧密封材料。作为其对策,已提出有一种材料,所述材料是通过使用具有多环式烃基的固化组合物,来兼顾银的腐蚀和耐热性(参照专利文献4)。但是,由于该组合物制成树脂的变化点在室温附近,因此有高温、低温的温度变化会导致发生破裂的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10-228249号公报;专利文献2:日本特开平10-242513号公报;专利文献3:日本特开2000-123981号公报;专利文献4:日本特开2012-46604号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是为了解决上述问题而完成的,目的在于提供一种固化性组合物,其能够形成一种透气性低且抗裂性及透光性优异的固化物。并且,本专利技术的另一目的在于提供一种半导体装置,其是利用本专利技术的固化性组合物覆盖半导体元件而成,且可靠性优异。并且,本专利技术的进而另一目的在于提供一种含酯键的有机硅化合物,其适用于本专利技术的固化性组合物。解决课题的方法为了解决上述课题,本专利技术提供一种固化性组合物,其含有:(A)含酯键的有机硅化合物,其由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳-碳双键,式(1)中,R独立地为被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基,R1独立地为选自被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基、二甲基硅烷基、甲基苯基硅烷基以及二苯基硅烷基中的基团,R2独立地为被取代或未被取代的碳数2~8的2价烃基,R3独立地为被取代或未被取代的碳数1~8的烷基,n是1~10的整数;(B)硅化合物,其是1分子中具有2个以上键合在硅原子上的氢原子;以及,(C)硅氢化反应催化剂。如果是这种固化性组合物,它能够形成一种透气性低且抗裂性及透光性优异的固化物。并且此时优选为,前述(A)成分是下述化合物的加成反应产物:(a)由下述通式(2)所表示的含酯键的有机硅化合物、以及(b)由下述通式(3)所表示的有机化合物。式(2)、式(3)中,R、R1、R2、R3及n与前文相同。如此一来,(A)成分可以通过(a)成分与(b)成分的加成反应容易地获得。另外,此时优选为,前述(a)成分是下述化合物的加成反应产物:(i)由下述通式(4)所表示的含酯键有机化合物、以及(ii)由下述通式(5)所表示的硅化合物,所述硅化合物的1分子中具有2个键合在硅原子上的氢原子。式(4)、式(5)中,R及R3与前文相同,R4独立地为被取代或未被取代的碳数2~8且具有加成反应性碳-碳双键的1价烃基。如此一来,(a)成分可以利用(i)成分与(ii)成分的加成反应容易地获得。并且此时优选为,前述(a)成分是在前述(i)成分与前述(ii)成分的摩尔比(ii)/(i)=1.1~2.1的范围内进行反应而成。通过以这种摩尔比进行反应,可以高效地获得分子链两末端具有SiH基的(a)成分。并且此时优选为,前述R是被取代或未被取代的碳数3~10的2价烃基。特别优选为,前述R是亚苯基以及碳数3~10的2价脂肪族烃基中的任一种或两种。如果是这种R,所述固化性组合物能够形成一种透气性更低且抗裂性及透光性更优异的固化物。并且此时优选为,前述n是1~5的整数。如果是此种n,所述固化性组合物能够形成一种透气性更低且抗裂性及透光性更优异的固化物。并且此时优选为,使前述固化性组合物固化所得的固化物在25℃时的可见光折射率是1.45以上。如果是此种折射率,就可以适用于光学器件和光学零件用材料。并且此时优选为,使前述固化性组合物固化所得的固化物在25℃时的透光率是80%以上。如果是此种透光率,就可以适用于光学器件和光学零件用材料。并且,本专利技术提供一种半导体装置,其是利用上述的固化性组合物的固化物覆盖半导体元件而成。如果是此种半导体装置,由于它被透气性低且抗裂性及透光性优异的固化物覆盖,因而成为可靠性优异的半导体装置。并且,本专利技术提供一种含酯键的有机硅化合物,其是由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳-碳双键,式(1)中,R独立地为被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基,R1独立地为选自被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基、二甲基硅烷基、甲基苯基硅烷基、及二苯基硅烷基中的基团,R2独立地为被取代或未被取代的碳数2~8的2价烃基,R3独立地为被取代或未被取代的碳数1~8的烷基,n是1~10的整数。如果是这种含酯键的有机硅化合物,可以适用于上述本专利技术的固化性组合物。专利技术的效果如上所述,如果是本专利技术的固化性组合物,该固化性组合物能够形成一种固化物,所述固化物的透气性低,抗裂性优异,可见光的折射率大,对于短波长区域中的光线的透光性也很高,透明性优异,对基材的密接性高。因此,本专利技术的固化性组合物可适用于LED元件的保护、密封、粘合、波长变更、波长调整、或透镜等用途。并且,作为透镜材料、光学器件或光
学零件用密封材料、显示器材料等各种光学用材料、电子器件或电子零件用绝缘材料、以及涂层材料也较为有用。并且,如果是利用此种本专利技术的固化性组合物的固化物覆盖半导体元件而成的本专利技术的半导体装置,由于被透气性低且抗裂性及透光性优异的固化物覆盖,因而成为一种可靠性优异的半导体装置。并且,如果是本专利技术的含酯键的有机硅化合物,可以适用于上述本专利技术的固化性组合物。具体实施方式如上所述,需要开发一种可抑制银基板的腐蚀与破裂的发生的光器件材料、特别是LED元件用的密封材料。本专利技术人就上述课题反复潜心研究,结果发现,通过将主链具有酯键的聚合物用于光器件材料,可以改善上述的银基板的腐蚀与破裂问题,从而完成本专利技术。即,本专利技术是一种固化性组合物,其含有:(A)含酯键的有机硅化合物,其由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳-碳双键,式(1)中,R独立地为被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基,R1独立地为选自被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基、二甲基硅烷基、甲基苯基硅烷基、及二苯基硅烷基中的基团,R2独立地为被取代或未被取代的碳数2~8的2价烃基,R3独立地为被取代或未被取代的碳数1~8的烷基,n是1~10的整数;(B)硅化合物,其是1分子中具有2个以上键合在硅原子上的氢原子;及,(C)硅氢化反应催化剂。以下,详细地说明本专利技术,但本专利技术并不限定于以下说明。本专利技术本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种固化性组合物,其特征在于,含有:(A)含酯键的有机硅化合物,其由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳‑碳双键,式(1)中,R独立地为被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基,R1独立地为选自被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基、二甲基硅烷基、甲基苯基硅烷基以及二苯基硅烷基中的基团,R2独立地为被取代或未被取代的碳数2~8的2价烃基,R3独立地为被取代或未被取代的碳数1~8的烷基,n是1~10的整数;(B)硅化合物,其是1分子中具有2个以上键合在硅原子上的氢原子;以及,(C)硅氢化反应催化剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.07 JP 2014-0218711.一种固化性组合物,其特征在于,含有:(A)含酯键的有机硅化合物,其由下述通式(1)表示,且1分子中具有2个以上加成反应性碳-碳双键,式(1)中,R独立地为被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基,R1独立地为选自被取代或未被取代的碳数1~12的2价烃基、二甲基硅烷基、甲基苯基硅烷基以及二苯基硅烷基中的基团,R2独立地为被取代或未被取代的碳数2~8的2价烃基,R3独立地为被取代或未被取代的碳数1~8的烷基,n是1~10的整数;(B)硅化合物,其是1分子中具有2个以上键合在硅原子上的氢原子;以及,(C)硅氢化反应催化剂。2.如权利要求1所述的固化性组合物,其中,前述(A)成分是下述化合物的加成反应产物:(a)由下述通式(2)所表示的含酯键的有机硅化合物、以及(b)由下述通式(3)所表示的有机化合物,式(2)、式(3)中,R、R1、R2、R3及n与前文相同。3.如权利要求2所述的固化性组合物,其中,前述(a)成分是下述化合物的加成反应产物:(i)由下述通式(4)所表示的含酯键有机化合物以及(ii)由下述通式(5)所表示的硅化合物,所述硅化合物的1分子中具有2个键合在硅原子上的氢原子,式(4)、式(5)中,R及R3与前文相同,R4独立地为被取代或未被取代的碳数2~8且具有加成反应性碳-碳双键的1价烃基...

【专利技术属性】
技术研发人员:小材利之茂木胜成
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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