半导体器件及其制造方法技术

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤；制备树脂制成的有机层（１０１），树脂选自由聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在１．８至３．５的范围，有机层上有一沟槽；将第一金属（１０５）埋设在沟槽中；在有机层上形成含氟氧化硅层（１０６）从而使氧化硅层在第一金属上有一孔；将第二金属埋设在该孔中。最好是在氧化硅层上形成所述树脂制成的另一有机层，从而使该另一有机层在第二金属上有另一沟槽。在此情况下，将另一第一金属（１０５’）埋设在另一沟槽中。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多级或多层布线结构的半导体器件。本专利技术还涉及这种半导体器件的制造方法。近几年来，半导体集成电路的结构越来越精密。这种倾向在逻辑电路的多级或多层布线中特别显著。随着多级布线金属线路间的间距越来越精细，金属线路之间的串扰(线路上的信号漏泄到毗邻线路上的现象)成为不可避免的事了。为避免发生这种串扰，有人建议采用介电常数低的绝缘层作为金属线路之间的线间绝缘层。例如Shin-Pun Jeng等人在《1994年超大规模集成电路技术研讨会技术文件的文摘论文集》第73-74 页上发表的题为“埋置聚合物的介电常数低供亚四分之一微米应用的平面化多级互连方案”的文章公开了用低介电常数绝缘层抑制这种串扰的方法。这种方法只在相对介电常数等于或小于3.5的情况下才起作用。目前，采用等离子体化学汽相淀积法制取的P-SiO层时，相对介电常数在4与4.5之间。因此，相信用相对介电常数在1.8与3.5之间的有机层代替P-SiO层是有益的。采用这种有机层的现行技术有各种各样，日本未经审查的专利公报3-34558(34558/1991)公开的制造多级布线结构的方法即为其中的一种。这里就举该方法作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，它包括： 有机层（１０１），由树脂制成，树脂选自聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在１．８至３．５的范围，所述有机层上有一沟槽； 第一金属（１０５），埋设在所述沟槽中； 氧化硅层（１０６），含有氟，且在所述有机层上形成，从而在所述第一金属上有一孔；和 第二金属（１０７），埋设在所述孔中。

【技术特征摘要】
JP 1995-10-30 281602/951.一种半导体器件，其特征在于，它包括有机层(101)，由树脂制成，树脂选自聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在1.8至3.5的范围，所述有机层上有一沟槽；第一金属(105)，埋设在所述沟槽中；氧化硅层(106)，含有氟，且在所述有机层上形成，从而在所述第一金属上有一孔；和第二金属(107)，埋设在所述孔中。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，它还包括另一有机层(101’)，由所述树脂制成，在所述氧化硅层上形成，从而在所述第二金属上有另一沟槽；和另一第一金属(101’)，埋设在所述另一沟槽中。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，它还包括另一氧化硅层(106’)，含氟，在所述另一有机层上形成，从而在所述另一第一金属上有另一孔；和另一第二金属(107’)，埋设在所述另一孔中；4.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤；制备有机层(101)，有机层(101)由树脂制成，树脂选自由聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在1.5至3.8的范围，所述有机层开有一沟槽；将第一金属(105)埋设在所述沟槽中；在所述有机层上形成含氟氧化硅层(106)从而在所述第一金属上有一孔；和将第二金属(107)埋设在所述孔中。5.如权利要求4所述的制造半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗佐美达矢，本间哲哉，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]