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一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤；制备树脂制成的有机层（１０１），树脂选自由聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在１．８至３．５的范围，有机层上有一沟槽；将第一金属（１０５）埋设在沟槽中；在有机层上形成含氟氧化硅层（１０６...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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