【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及到半导体器件制造方法，更确切地说是涉及到用整平层旋涂(SOG)玻璃。由于半导体器件及其内部电路的复杂性，对半导体器件的速度、成品率和可靠性有明显影响的半导体器件互连已采用多层结构。这种多层互连方法必须附带有整平工序以便提高光刻分辨率和焦深。特别是采用SOG的整平工艺，由于比之其它整平工艺它具有低成本、工艺简单、无需有毒气体以及缺陷密度小的优点，新近已被广泛地应用于半导体器件制造工艺。在采用SOG的整平工艺中，通常将液态SOG涂覆在半导体衬底上，然后在150-400℃的范围中焙烧以驱除溶剂和潮气。在这一工艺过程中，SOG被凝聚故在SOG层上产生张应力，从而在SOG层上产生微细裂纹。更确切地说，此现象在大约3000埃或更厚的SOG层上变得严重。主要在邻近于半导体片子边缘的半导体器件(芯片)区上，SOG层形成得更厚。由于光刻中半导体片子的边缘不暴露，故当连续淀积薄膜时，就在半导体片子边缘与其用来制作半导体器件的邻近区域之间形成2.0μm或更大的非常大的台阶。因此，此区域中形成的SOG层为2.0μm或更厚，从而更易于破裂。为了减少这种微裂纹，通常使用含...
【技术保护点】
一种制作半导体器件中多层互连的方法，它包含下列步骤： （ａ）在包括第一隔离层的半导体衬底上制作一个厚度为Ｙ１的导电层图形； （ｂ）在包括导电层图形的产物的整个表面上制作一个第二隔离层； （ｃ）在第二隔离层上制作一个比导电层图形更薄且与导电层图形相隔至少３×Ｙ１的下导电层图形； （ｄ）在包括下导电层图形的产物的整个表面上制作一个第三隔离层； （ｅ）在第三隔离层上制作一个由旋涂玻璃（ＳＯＧ）组成的整平层以暴露导电层图形和下导电层图形上的第三隔离层； （ｆ）在整平层上制作一个第四隔离层； （ｇ）借助于腐蚀第四和第三隔离层而制作通孔以暴露下...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1997-1-30 2895/971.一种制作半导体器件中多层互连的方法，它包含下列步骤(a)在包括第一隔离层的半导体衬底上制作一个厚度为Y1的导电层图形；(b)在包括导电层图形的产物的整个表面上制作一个第二隔离层；(c)在第二隔离层上制作一个比导电层图形更薄且与导电层图形相隔至少3×Y1的下导电层图形；(d)在包括下导电层图形的产物的整个表面上制作一个第三隔离层；(e)在第三隔离层上制作一个由旋涂玻璃(SOG)组成的整平层以暴露导电层图形和下导电层图形上的第三隔离层；(f)在整平层上制作一个第四隔离层；(g)借助于腐蚀第四和第三隔离层而制作通孔以暴露下导电层图形；以及(h)制作一个上导电层图形以便通过通孔而与下导电层图形形成接触。2.权利要求1的方法，其中导电层图形的厚度为5000-10000埃。3.权利要求1的方法，其中的下导电层图形明显地薄于2×Y1/3。4.权利要求1的方法，其中的步骤(e)包含下列子步骤在第三隔离层上制作一个SOG层；对SOG层进行焙烧；以及对SOG层进行深腐蚀以暴露导电层图形和下导电层图形上的第三隔离层。5.权利要求4的方法，其中的焙烧在150-400℃的温度下进行。6.权利要求1的方法，其中的SOG含有一种有机物。7.一种制作半导体中多层互连的方法，它包含下列步骤(i)在包括第一隔离层的半导体衬底上制作一个厚度为Y3的导电层图形；(j)在包括导电层图形的产物的整个表面上制作一个第二隔离层；(k)在第二隔离层上制作一个第一下导电层图形和一个第二下导电层图形，它们比导电层图形更薄，使第一下导电层图形从导电层图形端部延伸至少3×Y3，将导体层图形覆盖，且第二下导电层图形与第一下导电层图形相隔一个预定距离。(e)在包括第一和第二下导电层图形的产物的整个表面上制作一个第三隔离层；(m)在第三隔离层上制作一个由旋涂玻璃(SOG)组成的整平层以暴露导电层图形和第二下导电层图形上的第三隔离层；(n)在整平层上制作一个第四隔离层；(o)借助于腐蚀第四和第三隔离层而制作通孔以暴露第二下导电层图形；以及(p)制作一个上导电层图形以便通过通孔而与第二下导电层图形形成接触。8.权利要求7的方法，其中导电层图形的厚度为5000-10000埃。9.权利要求7的方法，其中的第一和第二下导电层图形明显地薄于2×Y3/3。10.权利要求7的方法，其中的步骤(m)包含下列子步骤在第三隔离层上制作一个SOG层；对SOG层进行焙烧；以及对SOG层进行深腐蚀以暴露第一和第二下导电层图形上的第三隔离层。11.权利要求10的方法，其中的焙烧在150-400℃的温度下进行。12.权利要求7的方法，其中的SOG含有一种有机物。13.一种制作半导体中多层互连的方法，它包含下列步骤(q)在包括第一隔离层的半导体衬底上制作一个厚度为Y5的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张胜铉，金锡泰，朴永薰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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