互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法技术

技术编号:3222207 阅读:219 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种利用大角度离子布植及后侧壁子制程的互补型金氧半场效应晶体管的制造方法,其步骤如下:制造硅基板;进行离子植入形成淡掺杂漏极;形成侧壁子;应用第一光罩形成N型离子植入区;应用第二光罩形成P型离子植入区;在场氧化层及晶体管上沉积绝缘层;应用第三光罩形成场氧化层与栅极间的接触窗;其可有效地解决当元件尺寸不断缩小时所产生的短通道效应所引的热载子及穿透等效应,用此制造方法,可减少使用光罩次数并可保证质量。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种利用大角度离子布植及厚侧壁子制程的,其特点是可以减少光罩的使用次数,降低制造成本。在半导体领域中,由于元件结构日益趋向小型化,因此制造方法不断改进与发展。当元件尺寸不断缩小,则栅极长度随之缩减,自然通道(channel)长度也不断缩减,当通道长度在次微米以下时,即产生所谓短通道效应(ShortChannel Effect),其中以在短通道效应中所引起的N通道MOS晶体管中的热载子效应(Hot Carrier Effect)和P通道MOS晶体管中的穿透效应(PunchthronghEffect)最值得注意,热载子的产生是由于元件尺寸缩减,若电源仍然保持定值则元件的横向电场会大量增加并且集中在漏极附近以至于热载子产生,另外,由于元件中横向电场会使得N通道中的电子获得较大能量,以产生电子洞对,其中部分热载子受电场影响而注入栅极氧化层,因此改变元件临限电压Vt,另外饱和电流(saturation current)、转移电导(Transconductance)、载子移动率(Carrier Mobility)均受影响而变少或降低,一般传统技术是以淡掺杂漏极(Light D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补型金氧半场效应晶体管的制造方法,其在-P型基板上,形成N通道场效应晶体管和P通道场效应晶体管,其步骤如下: (a)提供一硅基板,其上至少已形成P型井区,N型井区、数个栅极和栅极氧化层; (b)以数个栅极为光罩,对于硅基板全面进行N↑[-]型离子大角度植入,以形成第一N↑[-]型离子淡掺杂漏极植入区,其中第一N↑[-]型离子植入方向与垂直所述硅基板方向相距不小于20度; (c)形成侧壁子; (d)应用第一光罩,遮住欲形成所述P通道场效应晶体管的区域,进行第一N↑[+]型离子植入,其中所述第一N↑[+]型离子植入方向与垂直所述硅基板方向的角度不小于20度,以形成第一...

【技术特征摘要】
1.一种互补型金氧半场效应晶体管的制造方法,其在-P型基板上,形成N通道场效应晶体管和P通道场效应晶体管,其步骤如下(a)提供一硅基板,其上至少已形成P型井区,N型井区、数个栅极和栅极氧化层;(b)以数个栅极为光罩,对于硅基板全面进行N-型离子大角度植入,以形成第一N-型离子淡掺杂漏极植入区,其中第一N-型离植入方向与垂直所述硅基板方向相距不小于20度;(c)形成侧壁子;(d)应用第一光罩,遮住欲形成所述P通道场效应晶体管的区域,进行第一N+型离子植入,其中所述第一N+型离子植入方向与垂直所述硅基板方向的角度不小于20度,以形成第一N+型离子植入区,不去除光罩,然后再进行第二N+型离子植入,以形成第二N+型离子植入区;(e)应用第二光罩,遮住欲形成所述N通道场效应晶体管区域,进行P-型离子植入,其中该P-型离子植入方向与垂直所述硅基板方向相距不小于20度,以形成P-型离子植入区,不去除光罩,然后再进行第一P+型离子植入,以形成第一P+型离子植入区;(f)在场氧化层和晶体管元件上,沉积绝缘层;(g)应用第三光罩,以传统光罩蚀刻方法蚀刻掉场氧化层与栅极中间的绝缘层,露出部分第二N+型离子植入区及部分第一P+型离子植入区,形成接触窗。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述N-型离子的植入方向与垂直所述硅基板方向相距约30度至45度。3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述N-型离子的植入物种为磷,植入浓...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志贤陈民良
申请(专利权)人:台湾茂矽电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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