【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及一种形成横向隔离(BILLI)结构的具有隐埋注入层的阱的方法，能够准确控制阱的剖面形状。通常，为了改善半导体器件的特性，把与衬底的导电性相反的杂质离子注入到衬底中形成阱后，再在衬底上形成器件，而不是直接在衬底上形成器件。实际存在各种其特性取决于其形成方法的阱。首先，在隔离工艺(例如LOCOS)实现之前，以在衬底的整个表面或衬底的部分表面上离子注入和扩散的方式形成扩散阱。然而，很难控制上述单扩散阱的剖面形状和制造工艺。也即，以离子注入的方式形成单阱或双阱，然后再把离子扩散至预定深度。但因为不仅发生纵向扩散而且发生横向扩散，所以很难控制阱的剖面形状。在隔离工艺后，形成反向阱。即，利用两种掩模，以较大的离子注能量形成导电类型彼此不同的阱。利用与上述反向阱制造方法相同的方法形成具有BILLI结构的反向阱。利用一种掩模形成BILLI结构阱。如图1所示，进行隔离工艺，然后利用一种掩模注入离子，从而形成n阱和p阱。这里，根据阱的导电类型的不同，用彼此不同的能量进行形成n阱和p阱的离子注入工艺。即，用厚光致抗蚀剂层覆盖p阱区，用不能使离子透过光致...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的阱的方法，该方法包括下列步骤： 在半导体衬底上形成隔离层； 在半导体衬底上确定第一和第二阱区，在衬底的第二阱区上形成掩模层，掩模层由至少两层叠置的层构成； 离子注入第一导电类型的杂质，从而在第一阱区形成第一导电类型的阱；以及 除去掩模层的部分层，离子注入第二导电类型的杂质，从而在第二阱区形成第二导电类型的阱。
【技术特征摘要】
KR 1996-10-30 49962/961.一种形成半导体器件的阱的方法，该方法包括下列步骤在半导体衬底上形成隔离层；在半导体衬底上确定第一和第二阱区，在衬底的第二阱区上形成掩模层，掩模层由至少两层叠置的层构成；离子注入第一导电类型的杂质，从而在第一阱区形成第一导电类型的阱；以及除去掩模层的部分层，离子注入第二导电类型的杂质，从而在第二阱区形成第二导电类型的阱。2.根据权利要求1的方法，其中利用高于离子注入第一导电类型杂质的能量离子注入第二导电类型的杂质。3.根据权利要求1的方法，其中在第二导电类型的阱形成时，在第一导电类型的阱之下形成第二导电类型的杂质区。4.根据权利要求1的方法，其中为了在衬底中形成同样深度的第一导电类型的阱和第二导电类型的阱，要控制掩模层的厚度和第二导电类型杂质的离子注入能量。5.根据权利要求1的方法，还包括在形成掩模层步骤之前在半导体衬底...
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