【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种，可以在制造CMOS器件时减少PMOS区中的短沟现象，改善NMOS区的电流驱动特性。下面是结合图1对常规CMOS(互补MOS)器件的简要说明。首先，在半导体衬底11上有由场区12构成的器件隔离结构，用于区分其内的NMOS区和PMOS区，栅绝缘膜13形成在衬底11中的NMOS区和PMOS区上。栅14形成于栅绝缘膜13上。在NMOS区和PMOS区上皆形成有n-LDD(轻掺杂漏)区15和p-LDD区17。在栅14侧面上形成有侧壁19。在NMOS区和PMOS区中形成有n+S/D(源/漏)区16和p+S/D区18，从而完成常规CMOS器件。然而，常规CMOS器件中，NMOS和PMOS的侧壁长度是相同的，所以很难改善功能。即，为了改善NMOS器件的电流驱动，侧壁应足够薄，且因为在p+扩散比n+扩散更有力的情况下，由于p+侧壁扩散会去掉特薄的p-LDD区，代之以形成较深的结，因而器件的短沟道特性变得极大的退化。而且，注入工艺不足以形成浅结，在形成光晕(halo)区时必须再进行离子注入。因此，本专利技术的目的是提供一种半导体器件制造...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤： 在有第一区和第二区的半导体衬底上形成栅绝缘膜； 在相应于第一区和第二区的栅绝缘膜上分别形成第一和第二栅极； 在第一和第二栅极的各侧面上形成含第一导电类型杂质的侧壁； 在衬底的第一区中和包括第一侧壁的第一栅极侧面之下方形成第一导电类型的高浓度杂质区； 在衬底的第二区中和包括第一侧壁的第二栅极侧面之下方形成第二导电类型低浓度杂质区； 在形成于第一和第二栅极侧面上的第一侧壁表面上分别形成各自的侧壁； 在衬底的第二区中和包括第一和第二侧壁的第二栅极侧面下方形成第二导电类型高浓度杂质区； ...
【技术特征摘要】
KR 1996-11-27 58081/961.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤在有第一区和第二区的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在相应于第一区和第二区的栅绝缘膜上分别形成第一和第二栅极；在第一和第二栅极的各侧面上形成含第一导电类型杂质的侧壁；在衬底的第一区中和包括第一侧壁的第一栅极侧面之下方形成第一导电类型的高浓度杂质区；在衬底的第二区中和包括第一侧壁的第二栅极侧面之下方形成第二导电类型低浓度杂质区；在形成于第一和第二栅极侧面上的第一侧壁表面上分别形成各自的侧壁；在衬底的第二区中和包括第一和第二侧壁的第二栅极侧面下方形成第二导电类型高浓度杂质区；在第一和第二栅极上及包括第一区的第一导电类型的高浓度杂质区和第二区的第二类型的高浓杂质区上形成硅化物膜；在第一区中和第一侧壁之下方形成第一导电类型低浓度杂质区，该区与第一导电类型的高浓度杂质区部分重叠；在第二区中和第一侧壁之下方形成第一导电类型光晕区，该区与第二导电类型的低浓度杂质区部分重叠。2.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一导电类型是n型杂质形成的，第二导电类型是p型杂质形成的。3.根据权利要求1的方法，其特征在于，栅绝缘膜是由氧化膜构成的。4.根据权利要求1的方法，其特征在于，栅极是由多晶硅构成的。5.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一侧壁是PSG(磷硅玻璃)形成的。6.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二侧壁是氮化膜形成的。7.根据权利要求1的方法，其特征在于，第一导电类型低浓度杂质区和第一导电类型光晕区分别是由在进行RTA(快速热退火)工艺以形成硅化物膜时从含第一导电类型杂质的第一...
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