制造半导体产品的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种制造半导体产品的新型工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底。将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处分离多层结构；并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体产品的制造工艺，该工艺适于制造如半导体集成电路、太阳能电池、半导体激光器或发光二极管等的半导体器件。特别涉及包括将半导体层生长到衬底上的步骤的半导体产品的制造工艺。半导体产品通常指半导体晶片、半导体衬底和各种半导体器件，并且包括利用半导体区制造半导体器件的器件和用做制造半导体器件的预制件的器件。所考虑的这类半导体器件包括在绝缘体上设置的半导体层。在绝缘体上形成单晶硅半导体层的技术称做绝缘体上硅(SOI)技术，该技术已广泛公知。现已进行了各种研究探索SOI引人注目的优点，SOI不能用制造常规的Si集成电路的体Si衬底得到。SOI技术的优点包括1.易于介质隔离，能够增加集成度；2.优良的抗辐射性；3.减少浮动电容，提高器件的工作速度；4.省却了阱形成步骤；5.防止了闩锁效应；并且6.使利用薄膜技术制造全耗尽场效应晶体管成为可能。在Journalof Crystal Growth的63卷，No.3，pp429-590(1983)G.W.Cullen编辑的文章“非单晶绝缘体上的单晶硅”中作为专题详尽地讨论了SOI技术的优点。近年来，已公开了许多关于用于提供能实现MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底，无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处分离多层结构；并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。

【技术特征摘要】
JP 1996-11-15 304541/961.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤制备包括硅衬底的第一衬底，无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处分离多层结构；并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。2.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤制备包括硅衬底的第一衬底，将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构；在离子注入层处分离多层结构；除去留在分离的第二衬底上的离子注入层；除去留下的离子注入层后，再次将第一衬底作为第一衬底材料使用。3.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤制备包括硅衬底的第一衬底，将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构；在离子注入层处分离多层结构；除去留在分离的第二衬底上的离子注入层；从其上除去留下的离子注入层后，再次将第一衬底作为第二衬底材料使用。4.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中在硅衬底上形成无孔半导体层后形成离子注入层。5.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中在硅衬底上形成无孔半导体层和在无孔半导体层上形成绝缘膜后形成离子注入层。6.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中离子注入层用选自稀有气体元素、氢和氮的组中的离子元素形成。7.根据权利要求6的制造半导体产品的工艺，其中离子的注入剂量控制在1016-1017/cm2的范围内。8.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中离子注入层的厚度控制不大于500埃。9.根据权利要求8的制造半导体产品的工艺，其中离子注入层的厚度控制不大于200埃。10.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中对离子注入层施加外力将多层结构分开。11.根据权利要求10的制造半导体产品的工艺，其中通过与衬底表面垂直的方向按压、通过与衬底表面垂直的方向拉离，或通过加剪切力施加外力。12.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口清文，米原隆夫，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]